外部工况对轮胎翘曲的定量影响研究

针对轮胎接地区域出现的翘曲现象, 提出了翘曲指数的概念; 建立205/55R16型半钢子午线轮胎的有限元模型, 在稳态滚动工况下, 采用单变量法分析了载荷、气压、速度、摩擦因子等外部因素对翘曲现象的影响, 量化了各种因素下翘曲现象的变化规律. 结果表明: 翘曲指数随垂直载荷和摩擦系数的增大而增强, 随充气压力和滚动速度的增大而减小; 影响轮胎翘曲指数的主次因素依次为垂向载荷、充气压力、滚动速度和摩擦系数. 研究成果可为提高车辆操控性和减少轮胎磨损提供参考.     

Templated Synthesis and Assembly of Two-, Three- and Six-Patch Silica Nanoparticles with a Controlled Patch-to-Particle Size Ratio

We report a fabrication route of silica nanoparticles with two, three or six patches with an easily tunable patch-to-particle size ratio. The synthetic pathway includes two main stages: the synthesis of silica/polystyrene multipod-like templates and the selective growth of their silica core through an iterative approach. Electron microscopy of the dimpled nanoparticles obtained after dissolution of the polystyrene nodules of the multipod-like nanoparticles provides evidence of the conformational growth of the silica core. Thanks to the presence of some polymer chains, which remained grafted at the bottom of the dimples after the dissolution of the PS nodules, the solvent-induced assembly of the patchy nanoparticles is performed. Chains, hexagonal suprastructures and cubic lattices are obtained from the assembly of two-, three- and six-patch silica nanoparticles, respectively. Our study can guide future work in both patchy nanoparticle synthesis and self-assembly. It also opens new routes towards the fabrication of specific classes of one-, two- and three-dimensional colloidal lattices, including complex tilings.     

胞外高钾对大鼠背根神经元超极化电流的影响

应用全细胞膜片钳技术研究了胞外高钾对大鼠背根神经元（DRG）超极化电流（Ih）的影响．结果表明,Ih随着胞外钾离子浓度的增大而增大,同时随着外加刺激电压的增高而增强．当胞外钾离子浓度[Kext]为4,8和16mmol／L时,半数激活电压V1/2分别为-98±1．9,-106±1．3（p〈0．05）和-110±1．0mV（p〈0．05）,其对应的最大电流的峰值分别为1085±340,1576±409和2124±614pA,与4mmol／L比较,后者分别增长了45％和92％．胞外高钾使,Ih激活曲线显著左移,说明高Kext改变了超极化电流的激活过程．提高细胞外钾离子浓度,可以使早期钾通道（又称快通道）的激活时间常数增大,使晚期钾通道（又称慢通道）激活时间常数减小．当胞外钾离子浓度由4mmol／L升高到8和16mmol／L时,翻转电位右移,但不具有显著性差异．结果提示,细胞外高浓度钾可增强大鼠背根神经元超极化电流,Ih,改变Ih的激活过程,从而提高了神经元的兴奋性,产生不正常的动作电位,对神经细胞产生损伤．     

Existence of multiple periodic solutions for delay Lotka–Volterra competition patch systems with harvesting

In this paper, we establish some new and interesting sufficient conditions on the existence of multiple positive periodic solutions for a delay Lotka–Volterra competition patch system with harvesting. Our method is based on Mawhin’s coincidence degree and some novel techniques for defining the operator N(u,λ)$N(u\text{,}\lambda )$ and obtaining a priori bounds.     

基于非局部的图像去噪方法的发展现状综述

通过对图像的相似块做处理从而达到去噪目的,是当前较为新颖的去噪方法,在对国内外利用相似块去噪文献进行理解和分析的基础上,回顾相似块去噪研究的发展,阐明相似块去噪的原理,并总结了相似块去噪的各种方法。最终基于对相似块去噪方法的分析,提出了对其研究方法的展望。     

复合材料修补结构腐蚀扩展特性实验研究

为了研究腐蚀环境对复合材料修补结构疲劳特性的影响,开展以某型飞机加速环境谱为基础的预腐蚀试验,并采用递进式的试验方法分别完成对未修补未腐蚀、修补但未腐蚀、又修补又腐蚀的试样疲劳裂纹扩展试验。利用试验数据计算了复合材料修补构型、腐蚀环境对裂纹尖端应力强度因子影响的修正系数,并确定了通过试验验证的修补结构疲劳裂纹扩展修正模型。该模型预测腐蚀环境下修补结构的疲劳寿命与试验值一致。试验数据和预测模型可为海军飞机复合材料修补结构的损伤容限设计提供参考。     

New insight into the parasitic bipolar amplification effect in single event transient production

In this paper, a new method is proposed to study the mechanism of charge collection in single event transient (SET) production in 90 nm bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. We find that different from the case in the pMOSFET, the parasitic bipolar amplification effect (bipolar effect) in the balanced inverter does not exist in the nMOSFET after the ion striking. The influence of the substrate process on the bipolar effect is also studied in the pMOSFET. We find that the bipolar effect can be effectively mitigated by a buried deep P⁺-well layer and can be removed by a buried SO₂ layer.     

比较法测试不同颜色匹配函数的性能

为了测试不同颜色匹配函数的预测性能,基于灰色、棕色、紫色和蓝色4个目标色,共制作了16对近同色异谱色样对(围绕每个目标色分别制作了4个待比较色),组织14名年龄不同的色觉正常观察者基于心理物理实验方法中的比较法,开展了色差大小比较实验。结果表明,实验组织的老年观察者的锥细胞响应较年轻观察者有所下降,CIE1931的预测性能优于CIE1964。不同颜色区域,各颜色匹配函数的表现各异,在进行某些颜色(如灰色,紫色和蓝色)区域的色度值表征和色差评估时,即便观察视场角大于4°,CIE1931的计算性能仍然优于CIE1964。现有CIE2006匹配函数考虑到晶状体光谱透光率和中央凹的锥细胞光谱响应,下一步可继续强化中央凹锥细胞光谱响应,优化其计算性能。     

柔性印刷线路板LED贴片质量视觉检测方法

柔性印刷线路板中LED的粘贴需经过点银、贴片、封胶等工艺,其中贴片过程中会产生漏粘、异物、粘斜、偏移等一系列质量问题。提出了一套基于机器视觉的贴片质量在线检测方法:通过最小外接矩形获取有效区域的范围,利用基于轮廓特征的模板匹配对贴片所在连接盘进行定位;利用动态模板匹配检测漏粘缺陷;通过平均灰度值比较法检测LED上的异物缺陷;采用有效区域与LED区域的交集与差集对粘斜与偏移缺陷进行检测。该方案已应用于工业生产线,并且具有较高的检测准确率。     

大尺寸HVPE反应器寄生沉积的数值模拟研究

在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量.本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究了反应腔壁面沉积以及GaN生长速率的分布规律,特别是寄生沉积分布与载气流量的关系.研究发现:在基准条件下,顶壁寄生沉积速率由中心向边缘逐渐降低,与实验结果吻合;侧壁沉积出现8个高寄生沉积区域,对应喷头边缘处排布的GaCl管,说明沉积主要取决于GaCl的浓度输运;模拟得出的石墨托表面生长速率低于实验速率,但趋势一致.保持其他条件不变,增大NH3管载气N2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之增大,石墨托表面生长速率随之减小而均匀性却随之提高;增大GaCl管载气N2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之减小,石墨托表面生长速率随之增大而均匀性却随之降低.研究结果为大尺寸HVPE反应器生长GaN的工艺优化提供了理论依据.