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71.
李锐 《现代电子技术》2006,29(12):140-143
运用高选择比的特别配方来释放MEMS可变电容制作工艺中的牺牲层,以保护上级板金属铝层,同时很好地释放牺牲层磷硅玻璃。探讨了上级板的粘附问题,对工艺中影响成品率的关键因素残余应力进行了模拟,当温度T为350℃时,平面应力P为811.6 MPa;当温度T为500℃时,平面应力P为1 185.9 MPa。分析了残余应力对上级板的影响和对悬臂梁的等效弹性系数的影响。  相似文献   
72.
研究了有机物对液钽电容器工作电解质闪火电压及电导率的影响。试验表明,适当的有机物加入工作电解质中,可以吸附在Ta2O5介质膜表面,减少阳极界面处阴离子的有效浓度,使工作电解质闪火电压适当提高。利用所研制的工作电解质浸渍装配成160 V/47μF的液钽电容器,经1 000 h高温负荷实验,测试结果表明电容器电性能良好。  相似文献   
73.
传统上厚膜电容的制备由于采用了丝网技术、烧结工艺、有限的匹配温度特性材料,使得要实现高容量、低损耗、高频性就必须同时改变材料的成分、制备工艺和技术, 这是无法同时达到的.而采用激光微细熔覆快速原型制造技术,不需要高温烧结和掩模的制备,在不改变电极膜特性的情况下直接制备了适应高容量、低损耗和高频应用的介质膜.同时,消除了原有技术通过多次印刷和增加厚度来减少针孔的弊端,以及高温烧结带来的电极材料和介质材料成分的扩散,利用CAD/CAM系统可灵活地制备所设计的图形和尺寸,实现了元件小型化、轻薄化的制造.  相似文献   
74.
A continous mode CMOS switched capacitor integrator with almost zero offset is presented. The offset is compensated using an auto-zero technique and proper circut elements have been used to attenuate disturbances due to charge injection and clock feedthrough. The circuit includes two parallel paths which operate alternately in order to integrate in one path while compensating the offset in the other path. The circuit is capable of removing the offset voltage and its integral, and many other spurious signals at the output. The designed integrator has an initial offset of about –250 V which raises to an amount of about –400 V after one second of integration.  相似文献   
75.
Electrical double layer capacitors based on ideally polarizable nanoporous carbon electrodes in propylene carbonate with the addition of different 1 M Me3EtNBF4, Me2Et2NBF4, MeEt3NBF4, Et4NBF4, Et3PrNBF4 and Et3BuNBF4 electrolytes have been tested by cyclic voltammetry, chronoamperometry and electrochemical impedance methods. The limits of ideal polarizability, low-frequency limiting capacitance and series resistance, time constant, Ragone plots (energy density vs. power density dependencies) and other characteristics have been discussed. The influence of the electrolyte molar mass on the electrochemical characteristics of the nanoporous carbon electrode cells has been established. The applicability limits of the Srinivasan and Weidner model have been tested.  相似文献   
76.
A fully differential SC bandpass filter (central frequency, 58 kHz; Q = 15; and voltage gain, 8) based on the switched-opamp approach is designed and implemented in this work. The filter operates from a single 1 V supply voltage and is realized in a 0.35 m CMOS technology. It has been characterized with a sampling frequency of 1 MHz and its power consumption is about 230 W. As a main internal filter component, an appropiate switched opamp was also designed. Its common-mode feedback circuit was implemented by using an error amplifier and sampling of the output common-mode voltage is carried out by applying a DC offset to level shift the common-mode sample. It provides an accurate common-mode output for a wide temperature and supply voltage ranges.  相似文献   
77.
不对称半桥变换器利用自身的寄生器件实现了开关管的零电压操作,在不影响电路整体结构,以及不增加成本的前提下达到了很好的输入、输出特性。文章建立了该类变换器的小信号模型,进行了动态分析、仿真研究及补偿回路设计,并对整体的电路稳定性和几个关键的频率特性进行了研究。  相似文献   
78.
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3~8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4~8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求.  相似文献   
79.
CuO,CuCl对P2O5-ZnO-Na2O玻璃性质的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
赵凤刚  汪国年  胡丽丽 《中国激光》2007,34(8):1146-1150
包边技术是提高大尺寸激光玻璃饱和增益系数的关键.为获得优质包边玻璃,以CuO和CuCl分别作为Cu2 的引入物质,采用传统的玻璃熔制方法,研究了Cu2 掺杂量和不同引入物质对P2O5-ZnO-Na2O体系玻璃形成区、析晶稳定性、物化性能以及吸收系数的影响.研究结果表明,CuO和CuCl都能增大P2O5-ZnO-Na2O体系的玻璃形成区、提高玻璃样品的析晶稳定性.玻璃样品的吸收系数随Cu2 掺杂浓度的增加而明显增大,当Cu2 掺杂摩尔分数达到6%时,样品在1053 nm处的吸收系数为59.46 cm-1,基本上达到了饱和状态.  相似文献   
80.
星载寄生式InSAR系统频率同步误差分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
频率同步是星载寄生式InSAR系统的关键问题之一。根据频率源的工作特性,建立了一种新的频率源误差模型,并在该模型的基础上详细分析了频率同步误差对双站SAR成像及分布式InSAR高程测量的影响。建立了频率同步误差到干涉相位误差的传递模型,指出了星载分布式InSAR系统对频率源准确度及稳定性的要求,仿真验证了理论分析的正确性,分析结果对星载分布式InSAR系统的设计具有重要意义。  相似文献   
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