基于Multisim12的电机驱动模块设计与仿真

随着汽车工业的迅速发展,汽车智能化成为大势所趋.电机驱动模块是智能车的重要组成部分.基于探索不同频率PWM控制电机输出的目的,采用Multisim12仿真软件以B车模为研究对象,对电路的工作波形进行了仿真实验测试,给出了仿真实验方案,分析了PWM选取不同频率时电路工作波形.通过实际测试,该电机驱动模块能很好完成智能车电机驱动.     

空时分组码参数分析

在协议未知的条件下仅根据接收信号分析得到空时码的参数是MIMO系统盲接收中的重要技术.基于此应用背景对空时分组码的编码模型和接收信号模型进行研究,发现接收信号协方差矩阵的秩与空时分组码参数之间的关系,并由此利用随机矩阵理论的中噪声子空间最大特征值的概率分布求出信号协方差矩阵的秩,进而估得空时码参数.仿真结果表明,算法在未知码集的条件下不仅能够估计出空时分组码的码参数,还能够确定空时分组码的码块起点.     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的‘1’功率和‘0’功率,并以闭环方式实现稳定的‘1’,‘0’发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰-峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20- ＋80℃范围内小于0.6dB.     

基于S3C44B0X的嵌入式以太网接口设计

基于ARM7TIMD内核的处理器S3C44BOX和以太网控制器RTL8019AS,设计了一种以太网接口,介绍了以太网的帧结构、SC44BOX的性能及RTL8019AS的逻辑结构和工作原理,着重基于硬件层设计了以太网硬件接口和驱动程序,实现嵌入式以太网的数据传输。它适用于中小型嵌入式系统的网络化,可满足数据采集和自动化控制等方面的需要。     

IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。     

分组交换网络调度算法概述

为了合理利用网络资源,提高网络吞吐率,降低通信时延,需要采取有效的调度算法实现输入端和输出端的匹配.基于VOQ的输入排队交换结构是当前分组交换网络最常用的结构.本文介绍了几种基于VOQ的调度算法:用于单级crossbar的PIM、iRRM和iSLIP算法,以及适用于三级Clos网络的RD和CDDR算法.对每种算法,介绍其基本原理和性能,以及与其他算法的区别.     

球解码的改进算法

文中首先对MIMO系统启发式算法中的BLAST算法和球解码(CL算法)进行了研究.然后,在前面介绍的相关知识基础上,提出了一种新的球解码算法.该改进算结合BLAST算法计算量小和球解码算法(CL算法)误码性能好的优点而提出的.改进算法在牺牲一定误码性能的情况下,换取算法计算量的大幅度下降.仿真结果表明了这种改进算法的有效性.     

Littrow型光栅外腔半导体激光器的输出特性分析

在讨论光栅外腔半导体激光器理论的基础上.对影响Littrow型光栅外腔半导体激光器输出功率和线宽压窄的各种因素进行了数值模拟分析.研制了单纵模高质量激光输出的Littrow型光栅外腔半导体激光器,在工作电流为400 mA时,连续输出功率达到180 mW,线宽优于1 MHz.     

一种用于G类音频功放的带自适应输出的双模电荷泵

本文设计了一种给G类音频功率放大器提供自适应电源的双模电荷泵电路。根据输入信号的幅度,该电荷泵可以提供两档电压轨来节省功耗。它在重载下工作于电流控制模式,轻载下工作于脉冲频率调制(PFM)模式来降低功耗。在PFM工作模式下,引入功率管尺寸动态调整的技术来减小PFM模式下的输出电压纹波并防止开关频率进入音频范围。该电荷泵电路采用0.18μm,3.3V的CMOS工艺制备。试验结果表明该电荷泵在1/2x模式下可以实现79.5％的最高效率,在1x模式下可以实现83.6％的最高效率。在PFM控制模式下,电荷泵在负载电流小于120mA的范围内,其输出纹波小于15mV;在电流控制模式下,在负载电流小于300mA的范围内,其纹波小于18mV。测试结果与文中提出的功率分段的PFM控制模式的纹波、效率的解析模型得到的计算及仿真结果基本一致,验证了模型与分析方法的正确性。     

AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为1μm ,获得的最大跨导为12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为0 95A/mm .