首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   19383篇
  免费   3401篇
  国内免费   2401篇
化学   4967篇
晶体学   445篇
力学   672篇
综合类   90篇
数学   174篇
物理学   10504篇
无线电   8333篇
  2024年   41篇
  2023年   91篇
  2022年   272篇
  2021年   381篇
  2020年   392篇
  2019年   282篇
  2018年   319篇
  2017年   627篇
  2016年   747篇
  2015年   753篇
  2014年   1189篇
  2013年   1136篇
  2012年   1592篇
  2011年   1602篇
  2010年   1254篇
  2009年   1382篇
  2008年   1654篇
  2007年   1687篇
  2006年   1673篇
  2005年   1307篇
  2004年   1151篇
  2003年   895篇
  2002年   608篇
  2001年   588篇
  2000年   551篇
  1999年   434篇
  1998年   402篇
  1997年   373篇
  1996年   343篇
  1995年   278篇
  1994年   263篇
  1993年   196篇
  1992年   173篇
  1991年   142篇
  1990年   117篇
  1989年   70篇
  1988年   54篇
  1987年   33篇
  1986年   23篇
  1985年   28篇
  1984年   17篇
  1983年   14篇
  1982年   16篇
  1981年   6篇
  1979年   6篇
  1978年   2篇
  1976年   4篇
  1975年   7篇
  1974年   3篇
  1973年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 22 毫秒
31.
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析. 关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极  相似文献   
32.
通过分析计算,设计了一种大口径宽视场折射式红外相机光学系统。该系统设计用于超长线阵扫描红外相机的地面演示成像,它能同时对短波2μm—3μm、中波3μm—4.5μm双波段成像,且同时具有24°的大视场和150mm的宽口径,成像质量接近衍射极限。该系统在航天遥感领域应用广泛。  相似文献   
33.
a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
杨慎东  宁兆元  黄峰  程珊华  叶超 《物理学报》2002,51(6):1321-1325
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性. 关键词: 氟化非晶碳膜 光学带隙 退火温度 热稳定性  相似文献   
34.
The extents of the protective effects of coating films on the surface of crystals were determined. Three different samples were made with different quantities of coating fluid (Sepifilm LP 010 in 10% aqueous solution). Since the atomizing rate was constant, the coating time increased in parallel with the volume of coating fluid applied. The direct measurement of film thickness and smoothness is very difficult, and therefore indirect methods were used. Dimenhydrinate was chosen as model drug; this is a heat-sensitive antihistamine with a low melting point. This temperature can be reached during the tableting process. The behaviour of samples on exposure to heat was examined by differential scanning calorimetry. The water uptakes of the samples were determined with an Enslin apparatus. Plasticity was studied with an instrumented tablet machine. These indirect methods (thermal conductivity, water uptake and plasticity measurements) revealed connections between the results of the various experiments. An overlong coating time decreased the protective effect of the coating film. This revised version was published online in August 2006 with corrections to the Cover Date.  相似文献   
35.
NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。  相似文献   
36.
李多  杨婷  刘大禾 《大学物理》2006,25(5):42-47
从一个新的角度分析、讨论了光学的发展过程.并对光学今后的发展做了展望.  相似文献   
37.
孔英秀  韩军  尚小燕 《应用光学》2006,27(4):336-339
为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。  相似文献   
38.
本文以竖直圆管内壁催化剂薄层内发生甲烷水蒸气重整反应强化对流换热作为研究对象,对其进行了数值模拟.结果发现,催化剂薄层内的吸热化学反应可以有效地强化对流换热,降低流体和壁面温度,从而对壁面起到保护作用;极限热流密度的大小与流体的入口温度有关,存在最佳入口温度使极限热流密度最大.  相似文献   
39.
两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析   总被引:7,自引:1,他引:6  
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟(ITO)薄膜在红外波段的光学特性实验发现,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率在波长1550nm附近的透过率可达86%以上,消光系数约为004,方电阻最低为100Ω/□.  相似文献   
40.
相变光盘介电薄膜ZnS-SiO2 的微结构和光学特性   总被引:2,自引:2,他引:0  
刘波  阮昊  干福熹 《光子学报》2003,32(7):834-836
采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2~10 nm的ZnS颗粒分布在SiO2基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO2薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO2介电薄膜.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号