有效二能级原子与压缩相干光场相互作用过程中场熵的特性

本文研究了包括Stark效应时,双光子Jaynes-Cummings模型与单模压缩相干光场发生相互作用过程中场熵的特性,讨论了Stark移动参数、光场参数对场墒演化的影响.     

Ground-state complex formation of perylene with pyromellitic dianhydride studied by static fluorescence quenching

The association of complex formation with static quenching in CT systems was investigated. Evaluation of the data made evident that the inner filter effect must be allowed for. Time-resolved and temperature-dependent stationary measurements of fluorescence led to the separation of dynamic and static quenching components. The static quenching constant is discussed with respect to the equilibrium constant of complex formation determined by absorption spectroscopy.     

与q形变玻色算符逆算符相关的相干态及其量子统计性质

讨论了ｑ形变玻色算符的广义逆算符作用于ｑ－相干态所得到的两类量子态的数学及量子统计性质。结果表明，ｑ－相干态的光子激发态不存在压缩但呈现反聚束效应，而ｑ－相干态的光子湮灭态却存在压缩但不呈现反聚束效应。     

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.     

用反向调制照明法分析光栅成像效应

提出了用反向调制照法明分析光栅成像效应的观点，研究了光栅系统的反向衍射干涉效应，成功地揭示了泰伯效应与劳效应的内在联系，并在白光双光栅衍射干涉的“消色效应”的基础上获得了白光扩展光源照明下白光光栅成像效应和具有实用意义的四光栅干涉系统。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

The Squeezing Effect in a Mesoscopic RLC Circuit

Using the path integral method we derive quantum wave function and quantum fluctuations of charge andcurrent in the mesoscopic RLC circuit. We find that the quantum fluctuation of charge decreases with time, oppositely,the quantum fluctuation of current increases with time monotonously. Therefore there is a squeezing effect in the circuit.If some more charge devices are used in the mesoscopic-damped circuit, the quantum noise can be reduced. We also findthat uncertainty relation of charge and current periodically varies with the period π/2 in the under-damped case.     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

一种锰铜压阻测量新方法

 简单分析了几种常用的恒流供电锰铜压阻测量方法，并对这些测试方法的特点和不足进行了讨论。最后介绍一种利用数字示波器进行高保真高精度测量的方法，利用此法不仅提高了压力测量的精度，并且把小阻值锰铜压力计的测量范围向低端扩展到0.17 GPa。     

反常声电光频谱分析器

介绍了一种新型的反常声电光频谱分析器，它可以采用外加电压的办法改变器件的中心频率，扩大器件的频带宽度，并改善器件在频带宽度范围内的频率响应特性。用ＬｉＮｂＯ３制作了一个６０ＭＨｚ的反常声电光频谱分析器件，测试结果表明，器件中心频率可以由５０ＭＨｚ变到７０ＭＨｚ，频带宽度由原来的２６ＭＨｚ扩大到３７ＭＨｚ。