数值研究负折射率超透镜近场亚波长成像

文章采用时域有限差分法研究负折射率平板超透镜的电磁聚焦现象,计算近场成像特性;计算结果给出负折射率平板透镜近场成像的波场分布,双波源的成像分辨率为四分之一波长,达到亚波长分辨效果。计算结果表明,负折射率超透镜近场亚衍射成像只在一定的参数条件下成立。     

FORWARD GATED-DIODE R-G CURRENT METHOD:A SIMPLE NOVEL TECHNIQUE FOR CHARACTERIZING LATERAL LIGHTLY DOPING REGION OF LDD MOSFET’s

 This paper presents a simple novel technique-forward gated-diode R-G current method-to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) region interface state density and effective surface doping concentration of the lightly-doped drain (LDD) N- MOSFET’s simultaneously. One interesting result of the numerical analysis is the direct characterization of the interface state density and characteristic gate voltage values corresponding to LDD effective surface doping concentration. It is observed that the S/D N- surface doping concentration and corresponding region’s interface state density are R-G current peak position and amplitude dependent, respectively. It is convincible that the proposed method is well suitable for the characterization of deep sub-micron MOSFET’s in the current ULSI technology.     

热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响

半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。     

Spatiotemporal saliency detection and salient region determination for H.264 videos

In this study, a spatiotemporal saliency detection and salient region determination approach for H.264 videos is proposed. After Gaussian filtering in Lab color space, the phase spectrum of Fourier transform is used to generate the spatial saliency map of each video frame. On the other hand, the motion vector fields from each H.264 compressed video bitstream are backward accumulated. After normalization and global motion compensation, the phase spectrum of Fourier transform for the moving parts is used to generate the temporal saliency map of each video frame. Then, the spatial and temporal saliency maps of each video frame are combined to obtain its spatiotemporal saliency map using adaptive fusion. Finally, a modified salient region determination scheme is used to determine salient regions (SRs) of each video frame. Based on the experimental results obtained in this study, the performance of the proposed approach is better than those of two comparison approaches.     

关于信息技术地方标准

阐述了信息技术地方标准的概念，收集调查了我国现有的信息技术地方标准，论述了我国不宜制定地方标准的理由，并提出了有关问题的处理办法。     

薄型双漂移区高压器件新结构的耐压分析

提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰,改善横向表面电场分布,提高器件击穿电压.结果表明:TD LDMOS较常规结构击穿电压提高16%,导通电阻下降31%.     

基于距离补偿的毫米波近场成像算法

毫米波全息成像采用远场成像的近似模型,导致最终成像质量下降。针对上述问题,提出了一种基于距离补偿的毫米波近场成像算法。该算法用近场条件下的精确模型改进了传统成像算法的近似模型,利用成像平面与天线阵元的距离进行成像补偿,然后通过最大值投影和Lee滤波进行成像。实验结果表明,与毫米波全息成像算法相比,该算法在提高图像清晰度的同时,能够保留成像目标的更多信息。     

一种高性能的亚阈值CMOS电压基准

基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响。后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55~1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053%/V~0.121%/V;在-20 ℃~80 ℃范围内,温度系数为9.5×10-6/℃~3.49×10-5/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW。芯片面积为0.008 2 mm²。该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用。     

联想记忆神经网络吸收区域的估计

本文对于Hopfield型联想记忆神经网络模型,给出了吸收区域估计的解析表达式。这对于具有多个平衡位置的网络实现联想记忆和优化计算都是重要的问题。     

一种基于区域不变矩的图像特征关联方法

为了研究多源图像特征关联问题,提出基于区域不变矩的特征关联方法;对经过区域分割后的图像各个区域计算其区域不变矩特征,提出一种区域相似性度量算法,并对计算出的图像区域不变矩进行特征关联。通过对一种飞机二值图像问题进行特征关联的仿真实验,并通过图像形式给出飞机二值图的特征关联结果,验证了该算法的实用性和有效性。该算法可以用于其他类型图像中区域不变矩的特征关联。