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基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景. 相似文献
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为了对同向抽运光纤拉曼放大器的功率转换效率进行研究,由耦合方程出发,首先理论推导出功率转换效率的解析解,然后采用数值计算的方法详细分析不同物理因素对功率转换效率的影响。结果表明:功率转换效率先随着光纤长度和单位面积的拉曼增益系数增加而增加,当增加到最大值时保持数值不变;小信号时,初始信号光功率对功率转换效率的影响较小;大信号时,功率转换效率随着初始信号光功率增加而快速增加;功率转换效率和初始抽运光功率呈抛物线曲线关系;抽运光与信号光的频率比增加时,功率转换效率减小。 相似文献
95.
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。 相似文献
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随着电源电压的日益降低,信号幅度不断减小,在噪声保持不变的情况下,信噪比也会相应地减小。为了在低电源电压下获得高的信噪比,需提高信号幅度,而输入输出轨到轨运算放大器可获得与电源电压轨相当的信号幅度。中文在理论分析了输入输出轨到轨CMOS运算放大器主要架构优缺点后,给出了一种新的输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计,该电路在华润上华0.18 μm工艺平台上流片验证。测试结果表明,输入范围从0到电源电压,输出范围从50 mV到电源电压减去50 mV,实现了输入输出轨到轨的目标。 相似文献
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《Microelectronics Journal》2015,46(7):593-597
A high dynamic input transimpedance amplifier was implemented in 130 nm CMOS technology. The proposed TIA is an inverter with a diode connected NMOS and a gate controlled PMOS loads which is cascode connected with the inverter. The square law compression NMOS increases the input photocurrent up to 10 mA. The TIA has an integrated input referred noise current of 135 nA, 227 MHz bandwidth. The TIA shows a transimpedance gain of 59 dBΩ and a 97 dB dynamic range. The TIA consumes 2.3 mA from 1.5 V voltage supply. 相似文献
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《Microelectronics Journal》2015,46(8):758-776
This paper presents a new high frequency Regulated Cascode (RGC) amplifier with improved performance. The split-length compensation technique is used to increase both the bandwidth and output impedance, and decrease the input impedance of the conventional RGC. The bandwidth of the proposed RGC amplifier is 5.81 GHz, which is about 2.7 GHz larger than that of simple one. The improved performance of the introduced circuit is achieved with no additional passive element and DC power dissipation. In the paper, output impedance and bandwidth of the proposed circuit are derived by using small signal analysis and have also been compared with the traditional one. In addition, a wideband high performance current mirror is designed in the work as an application of the proposed RGC structure. The bandwidth extension ratio (BWER) of the modified wideband current mirror is 1.37. The proposed circuits are designed by using TSMC 0.18 µm CMOS process and BSIM3 Level 49 device model. The circuits are simulated on Spectre simulator of Cadence to validate the analytical results obtained in the paper. 相似文献
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《Microelectronics Journal》2015,46(11):1046-1052
In this study, we investigate the stability problems induced by undesired coupling between input feed lines and an output transformer for a linear CMOS power amplifier using a distributed active transformer (DAT) as an output balun. We extracted the losses of the input and output transformer, the undesired coupling, and the gains of the driver and the power stages to calculate the closed-loop gain. To determine the possibility of oscillation according to the location of the driver stage related to the undesired coupling and the closed-loop gain, we investigated the stability factor and stability circle. We show that the location of the driver stage of the power amplifier can be used to manage the value of the closed-loop gain. From the analyzed results, the driver stage of the linear power amplifier should be located outside the DAT to mitigate the stability issues. 相似文献
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