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991.
992.
993.
单晶硅是Eg为1.1eV的间接带隙半导体材料,在可见光区不发光,不能应用于光电子领域.但是,Canham 1990年首次发现[1],适当条件下形成的多孔硅在室温下就可发出强度能与Ⅲ-Ⅴ族半导体发光二极管相媲美的可见光。 相似文献
994.
995.
针对Si,GaAs半导体晶片中金属杂质玷污的问题,本文提出了紫外光致荧光谱的检测方法。常温下,晶片中的Fe,Ni杂质玷污可产生紫外特征荧光峰。这种新的检测方法是非破坏性的,并适用于φ76.2mm,φ100mm大圆片的直接检验,而且具有较高的检测灵敏度。 相似文献
996.
生物活性含硅有机锡化合物的研究 总被引:12,自引:0,他引:12
对近年来含硅有机锡化合物的进展进行了综述,结构和活性关系的研究表明化合物的生物活性主要取决于硅原子上的取代基,生物活性大小顺序为:(Me3SiCH2)3SnY>>(PhMe2SiCH2)3SnY>(Ph2MeSiCH2)3SnY,(PhCH2Me2SiCH2)3SnY. 相似文献
997.
Joerg Isenberg Wilhelm Warta 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2004,12(5):339-353
The principles of a recently introduced measurement technique for power losses in solar cells, illuminated lock‐in thermography (ILT), are reviewed. The main advantage of ILT over dark lock‐in Thermography (DLT) is measurement under realistic operational conditions of solar cells. The main focus of this paper is to demonstrate the wide range of applications of ILT in identifying the causes of power losses in solar cells. For this purpose different evaluation methods are presented. A method for the evaluation of improvement potentials within a given cell technology is demonstrated. It is shown that different types of series resistance may be localized. Small areas of recombination losses (e.g., grain boundaries) can routinely be detected, which is not possible in dark lock‐in thermography. Good correspondence with light‐beam‐induced current images is found. A realistic evaluation of the impact of recombination losses on solar cell performance is demonstrated on two examples. Finally, process‐ or treatment‐induced recombination losses are investigated. In summary ILT is shown to be an extremely powerful tool in localizing, identifying and quantifying power losses of solar cells under realistic illumination conditions. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
998.
L. J. Geerligs D. Macdonald 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2004,12(4):309-316
The optimisation of base doping for industrial crystalline silicon solar cells is examined with model calculations. Focus is on the relation between base doping and carrier recombination through the important impurities interstitial iron (Fei) and the metastable boron–oxygen (BO) complex. In p‐type silicon, the optimum base resistivity is strongly dependent on defect concentration. In n‐type silicon, recombination due to Fei is much lower and nearly independent of resistivity. Fei is likely representative for other transition metal impurities. In many real cells a balance between Fei or similar defects, and BO will occur. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
999.
多孔硅表面Ag层对吸附其上的若丹明B染料分子表面增强Raman散射的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶液电镀方法在多孔硅表面制备纳米尺寸的银颗粒,测量了不同镀银多孔硅表面吸附的RhB染料分子以及固态的RhB染料的Raman散射谱。在相同的激发强度下,固态RhB染料的Raman散射最弱,而镀银的多孔硅表面具有明显的增强效果(~10^4)。 相似文献
1000.
本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Si(100)表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明:在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体(Si H3)以及硅和两个氢原子的结合体(Si H2)所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Si H3越来越少,Si H2的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体(Si H)的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Si H2所覆盖,有少量Si H3和Si H键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具 相似文献