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11.
Chemical bonding in isolated molecules and crystals of zwitterionic pentacoordinate silicon chelates
The electronic structures of a number of zwitterionic pentacoordinate silicon chelates were investigated using the results of X-ray diffraction studies and quantum-chemical calculatoins by the MPW1PW91/6-311G(d) method. The topological analysis of the electron density distribution function and the study in the framework of the natural bond orbital partitioning scheme showed that the character of chemical bonding in the axial fragments of the molecules under consideration changes from dative to three-center, four-electron as the silicon atom assumes a trigonal-bipyramidal coordination. 相似文献
12.
13.
用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。 相似文献
14.
15.
《Journal of Chemical Sciences》2005,117(5):525-531
The silicon atom may increase its coordination number to values greater than four, to form pentacoordinated compounds. It
has been observed experimentally that, in general, pentacoordinated compounds show greater reactivity than tetracoordinated
compounds. In this work, density functional theory is used to calculate the global softness and the condensed softness of
the silicon atom for SiH
n
F4−n
and SiH
n
F
5−n
1−
. The values obtained show that the global and condensed softness are greater in the pentacoordinated compounds than in the
tetracoordinated compounds, a result that explains the enhanced reactivity. If the results are analysed through a local version
of the hard and soft acids and bases principle, it is possible to suggest that in nucleophilic substitution reactions, soft
nucleophiles preferably react with SiH
n
F
5−n
1−
, and hard nucleophiles with SiH
n
F4−n
. 相似文献
16.
17.
18.
对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强. 相似文献
19.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度. 相似文献
20.