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102.
H. Eisele M. Naftaly R. Kamoua 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2005,26(1):1-14
Efficient second-harmonic power extraction was demonstrated recently with GaAs tunnel injection transit-time (TUNNETT) diodes up to 235 GHz and with InP Gunn devices up to 325 GHz. This paper discusses the latest theoretical and experimental results from second-harmonic power extraction at submillimeter-wave frequencies and explores the potential of using power extraction at higher harmonic frequencies to generate continuous-wave radiation with significant power levels at frequencies above 325 GHz. Initial experimental results include output power levels of more than 50 W at 356 GHz from a GaAs TUNNETT diode in a third-harmonic mode and at least 0.2–5 W in the frequency range 400–560 GHz from InP Gunn devices in a third or higher harmonic mode. The spectral output of these submillimeter-wave sources was analyzed with a simple Fourier-transform terahertz spectrometer and, up to 426 GHz, with a spectrum analyzer and appropriate harmonic mixers. Initial experimental results from a GaAs/AlAs superlattice electronic device at D-band (110–170 GHz) and J-band (170–325 GHz) frequencies are also included. 相似文献
103.
N. Nabavi 《Fiber and Integrated Optics》2018,37(4):229-237
The author investigates the monitoring methods for fine adjustment of the previously proposed on-chip architecture for frequency multiplication and translation of harmonics by design. Digital signal processing (DSP) algorithms are utilized to create an optimized microwave photonic integrated circuit functionality toward automated frequency multiplication. The implemented DSP algorithms are formed on discrete Fourier transform and optimization-based algorithms (Greedy and gradient-based algorithms), which are analytically derived and numerically compared based on the accuracy and speed of convergence criteria. 相似文献
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106.
程焱 《电子产品可靠性与环境试验》2014,(2):34-37
毫米波组件作为毫米波电子系统的重要组成部分,其可靠性和故障率在很大程度上决定了整个毫米波系统的工作状态。目前,关于毫米波组件在批量使用过程中的可靠性情况和故障数据还鲜有研究。收集了某批量生产的毫米波收发组件在交付和使用中所出现的故障,并对故障进行了统计和分析,最后根据统计结果给出了技术和管理方面的改进建议。 相似文献
107.
纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计。通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性。同时比较所建模型对130 nm和40 nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40 nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性。 相似文献
108.
Ruiyuan Cao Yu He Qingming Zhu Jingchi Li Shaohua An Yong Zhang Yikai Su 《半导体学报》2019,40(5):052301-052301-7
We propose and experimentally demonstrate an integrated silicon photonic scheme to generate multi-channel millimeter-wave (MMW) signals for 5G multi-user applications. The fabricated silicon photonic chip has a footprint of 1.1 × 2.1 mm2 and integrates 7 independent channels each having on-chip polarization control and heterodyne mixing functions. 7 channels of 4-Gb/s QPSK baseband signals are delivered via a 2-km multi-core fiber (MCF) and coupled into the chip with a local oscillator (LO) light. The polarization state of each signal light is automatically adjusted and aligned with that of the LO light, and then 7 channels of 28-GHz MMW carrying 4-Gb/s QPSK signals are generated by optical heterodyne beating. Automated polarization-control function of each channel is also demonstrated with ~7-ms tuning time and ~27-dB extinction ratio. 相似文献
109.
110.