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21.
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度,测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa,铟柱的剪切强度为1.9MPa,前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现:铟柱剪切强度低是织构弱化所致;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想(101)丝织构模式,从而提高了铟球的剪切强度。 相似文献
22.
单片微型计算机键盘接口设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了单片机系统中矩阵式键盘的特点和工作原理,以及大规模集成电路8255A。给出了8255A和MCS-51单片机的接口电路,以及实际应用中的软件设计框图等。 相似文献
23.
在道岔缺口超标报警系统中的软件设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了SED1335的性能及特点,重点阐述了它在道岔缺口超标报警系统中显示字符、汉字、构建友好界面的软件设计方法,提出了编写液晶显示程序的一些优良算法。 相似文献
24.
高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究 总被引:2,自引:2,他引:0
对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。 相似文献
25.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
26.
27.
28.
微纳米加工技术及其应用综述 总被引:2,自引:0,他引:2
材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术,文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍,简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别,在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则,并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。 相似文献
29.
激光二极管自混合干涉和微振动的实验观测 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了利用LabView软件虚拟示波器和信号源,对激光二极管自混合干涉和微振动进行的实验观测.该实验可以作为本科低年级学生的综合设计实验. 相似文献
30.