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931.
鉴于榕树网在自由空间光子交换网络中具有重要的应用价值,分析了榕树网的特点和4×4二维榕树网的空间拓扑结构,通过偏振光分光棱镜、微闪耀光栅阵列、平面反射镜、半反半透镜和液晶空间光调制器的集成,构建二维的榕树交换网实验模块,利用微闪耀光栅的衍射特性,控制每块微闪耀光栅的周期,以实现入射光信号不同方向的闪耀输出,最终完成二维榕树网自由空间水平和竖直方向上的交叉互连,直通则由平面镜反射实现。对二维榕树网实验模块的功能分析表明,该实验模块理论上可以完成4×4二维面阵内光信号(或数据)的排序、交换、组播、广播、矩阵变换等操作,具有交换透明、速度快、空间带宽高等特点,在全光交换和光通信中具有一定的应用。 相似文献
932.
Taris Thierry Begueret Jean-Baptiste Lapuyade Hervé Deval Yann 《Microelectronics Journal》2006,37(11):1251-1260
After a theoretical and analytical study of the body effect in MOS transistors, this paper offers two useful models of this parasitic phenomenon. Thanks to these models, a design methodology, which takes advantage of the bulk terminal, allows to turn this well-known body-effect drawback into an analog advantage, giving thus an efficient alternative to overcome the design constraints of the CMOS VLSI wireless mass market. To illustrate the approach, four RF building blocks are presented. First, a 0.9 V 10 dB gain LNA, covering a frequency range 1.8-2.4 GHz, thanks to a body-effect common mode feedback, is detailed. Secondly, a body-effect linearity controlled pre-power amplifier is presented exhibiting a 5 dB m input compression point (ICP1) variation under 1.8 V power supply for half the current consumption. Lastly, two mixers based on body-effect mixing are presented, which achieve a 10 dB conversion gain under 1.4 V for a −52 dB LO-to-RF isolation. Well suited for low-power/low-voltage applications, these circuits implemented in a 0.18 μm CMOS VLSI technology are dedicated to multi-standard architectures and system-on-chip implementations. 相似文献
933.
采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45~2.02eV之间调节的碲锌镉薄膜. 相似文献
934.
935.
在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧触点施加纵向驱动力使之达到30μm的纵向驱动位移,可以实现机构的双稳态姿态切换,可以通过控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩.此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器. 相似文献
936.
从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常直接,因此容易在CAD里面编程实现.提参得到的等效电路模型对于射频电路设计者来说也是非常有用的. 相似文献
937.
938.
939.
940.
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 相似文献