超短脉冲光电导开关的全波分析

本文采用时域有限差分法直接求解包含传导电流的三维麦克斯韦方程组,对超短脉冲光电导开关进行全波分析,分析中考虑了静电场影响,采用了比较精确的光电导数学模型。本文还讨论了开关输出信号的模式组成和激光脉冲能量、脉宽对开关性能的影响,并给出了光电导开关响应在不同时刻的三维图形。     

ATM的相关技术

介绍与ＡＴＭ有关的交换技术。     

Plasmon-Assisted Self-Encrypted All-Optical Memory

All-optical responsive nanomaterials, which can rapidly switch between two stable states, have been regarded as the next-generation memories due to their potential to realize binary information storage and implement on-chip, integrated photonic neuromorphic systems. Rare earth oxides are preeminent candidates owing to their extraordinary luminescent stability and narrow optical transitions. However, due to the lack of simple and effective optical switches, it is difficult to realize all-optical data storage, encoding, and retrieval by pure rare earth-doped luminescent nanoparticles. Here, a rapid and high-contrast of 10⁴ luminescent switching of Y₂O₃:Eu³⁺ nanoparticle between the enhancement and quenching states is achieved by employing the strong light confinement and ultrafast thermal response of localized surface plasmon resonance. A self-encrypted all-optical memory is presented with optical information writing, encryption, reading, and re-writing, and a high-sensitivity synaptic response of emitters to frequency and light intensity flux, which can be harnessed to encrypt information flows and promote convenient and high-security information encryption. Such a convenient and secure plasmonic thermally assisted self-encrypting luminescent switch paves the way for constructing high-performance stimuli-responsive rare earth oxide crystals on demand and expanding their applications in various data encryption, anti-counterfeiting, and rewritable colouration devices.     

5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。     

DC-DC变换器中双开关网络的平均模型及其应用

根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络.     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

 采用金属箔电爆炸过程的二维数值计算模型，对含电爆炸金属箔断路开关的电感储能脉冲功率调节系统进行了数值计算。以此为基础，研制出了一种低电感型的电爆炸箔断路开关，并以4μF/75kV脉冲电容器组作为初级能源，13Ω电阻作为负载进行实验研究。研究结果表明：在负载上可获得约250kV，脉宽大于400ns的脉冲电压。     

杨氏双缝干涉实验的光谱变化

从理论和实验上研究了当部分相干光照射在双缝上时,杨氏双缝干涉实验干涉场中的光谱变化.指出干涉场中的归一化光谱在某些空间点处出现了蓝移,在另外一些空间点处出现了红移,而在这些空间点的中间,光谱分裂为等值的两条,出现了光谱开关现象.发现当观察点从轴上向轴外移动的过程中,在很多空间观察点处都出现了光谱开关现象.此外,研究结果还表明光谱相干度将对光谱的移动和光谱开关现象产生重要的影响.     

色散管理孤子色散周期长度的开关特性

在色散管理光孤子系统中建立起一种周期扰动模型,研究了扰动对孤子传输的影响.运用快速傅里叶变换方法通过数值模拟发现,在脉冲传输距离与扰动周期长度的关系中不仅存在着多极值结构,而且存在着开关特性,利用这一特性可以有效地控制孤子的传输.     

演播室设备自动控制探究

介绍了硬件接口的通信协议,结合本台实际,介绍了在系统灵活控制方面所做的尝试、设备选型、控制功能设计目标,最后给出了详细的设计方法.     

微流控光脉冲调制器

为了解决常见光调制器偏振依赖或结构复杂的问题,本文基于微流控光学提出一种可控光脉冲调制器。利用基于T形结产生的离散液滴和全反射原理的微流控光开关,将连续光变换成数字脉冲信号,并通过调节液滴的长度和生成速率调制光脉冲的宽度和频率。所提微流控光脉冲调制器具有结构简单、插入损耗低、消光比高、易集成的优点。微流控光脉冲调制器的流场与光场特性被分析,结构被优化。研究结果显示：该光脉冲调制器的消光比为17.74 dB,插入损耗为0.49 dB。