全文获取类型
收费全文 | 1681篇 |
免费 | 232篇 |
国内免费 | 373篇 |
专业分类
化学 | 43篇 |
晶体学 | 50篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 3篇 |
物理学 | 623篇 |
无线电 | 1564篇 |
出版年
2023年 | 9篇 |
2022年 | 17篇 |
2021年 | 19篇 |
2020年 | 21篇 |
2019年 | 20篇 |
2018年 | 18篇 |
2017年 | 40篇 |
2016年 | 40篇 |
2015年 | 55篇 |
2014年 | 52篇 |
2013年 | 70篇 |
2012年 | 61篇 |
2011年 | 88篇 |
2010年 | 88篇 |
2009年 | 89篇 |
2008年 | 88篇 |
2007年 | 97篇 |
2006年 | 107篇 |
2005年 | 101篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 68篇 |
2002年 | 83篇 |
2001年 | 63篇 |
2000年 | 118篇 |
1999年 | 70篇 |
1998年 | 50篇 |
1997年 | 65篇 |
1996年 | 62篇 |
1995年 | 73篇 |
1994年 | 78篇 |
1993年 | 70篇 |
1992年 | 51篇 |
1991年 | 43篇 |
1990年 | 63篇 |
1989年 | 59篇 |
1988年 | 37篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 4篇 |
1976年 | 1篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
排序方式: 共有2286条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括SOLT 和TRL 校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减驻波标准,带内平坦,且工艺适应性好。经过与国外校准片比对,验证了频率覆盖100 MHz ~50 GHz,驻波比测量范围:1.1,1.5,2.5,5,10;衰减测量范围:-1 dB,-2 dB,-3 dB,-10 dB,-20 dB,-30 dB,-40 dB;匹配负载反射损耗小于-30 dB。同时提取了SOLT校准模块的矢网校准用参数。 相似文献
72.
高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW. 相似文献
73.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V. 相似文献
74.
75.
主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。 相似文献
76.
A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A four-section LH NLTL which has a layout of 5.4×0.8 mm~2 was fabricated on GaAs semi-insulating substrate. With 20-dBm input power,the doubler obtained 6.33 dBm peak output power at 26.8 GHz with 24-43 GHz—6 dBm bandwidth.The experimental results were quite consistent with the simulated results.The compactness and the broad band characteristics of the circuit make it well suit for GaAs RF/MMIC application. 相似文献
77.
78.
Fu Y Willander M 《红外与毫米波学报》2002,21(5):321-326
IntroductionInfrareddetectortechniquehasbeenakeyfactorinthedevelopmentoftheinfraredtechnologyformorethan 4 0 years .Since 1970 ,semiconductorslikeInSbandHgCdTehavebeentheprincipalmaterialsforvariousinfrareddetectorapplications .Theformatoftheinfrareddetectormotivatedbysmartthermalimagingsystemchangedfromsingleelementdevicetofocalplanarrays(FPAs)inthemiddleof 80’s [1].Today’stechnologyofinfrareddetectorconcentrateslargelyonfocalplanarrays ,expeciallyforsensitive ,homogeneousandlargeformatscaledevices .HgCdTe... 相似文献
79.
80.
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层. 相似文献