全文获取类型
收费全文 | 1681篇 |
免费 | 232篇 |
国内免费 | 373篇 |
专业分类
化学 | 43篇 |
晶体学 | 50篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 3篇 |
物理学 | 623篇 |
无线电 | 1564篇 |
出版年
2023年 | 9篇 |
2022年 | 17篇 |
2021年 | 19篇 |
2020年 | 21篇 |
2019年 | 20篇 |
2018年 | 18篇 |
2017年 | 40篇 |
2016年 | 40篇 |
2015年 | 55篇 |
2014年 | 52篇 |
2013年 | 70篇 |
2012年 | 61篇 |
2011年 | 88篇 |
2010年 | 88篇 |
2009年 | 89篇 |
2008年 | 88篇 |
2007年 | 97篇 |
2006年 | 107篇 |
2005年 | 101篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 68篇 |
2002年 | 83篇 |
2001年 | 63篇 |
2000年 | 118篇 |
1999年 | 70篇 |
1998年 | 50篇 |
1997年 | 65篇 |
1996年 | 62篇 |
1995年 | 73篇 |
1994年 | 78篇 |
1993年 | 70篇 |
1992年 | 51篇 |
1991年 | 43篇 |
1990年 | 63篇 |
1989年 | 59篇 |
1988年 | 37篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 4篇 |
1976年 | 1篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
排序方式: 共有2286条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0.5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。 相似文献
62.
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤. 相似文献
63.
Harry J. Whitlow Margaretha Andersson Mikael Hult Leif Persson Mohamed El Bouanani Mikael Östling Carina Zaring Nils Lundberg David D. Cohen Nick Dytlewski Peter N. Johnston Ian F. Bubb Scott R. Walker Erik Johanson Sture Hogmark P. Anders Ingemarsson 《Mikrochimica acta》1995,120(1-4):171-181
Recoil Spectrometry covers a group of techniques that are very similar to the well known Rutherford backscattering Spectrometry technique, but with the important difference that one measures the recoiling target atom rather than the projectile ion. This makes it possible to determine both the identity of the recoil and its depth of origin from its energy and velocity, using a suitable detector system. The incident ion is typically high-energy (30–100MeV)35C1,81Br or127I. Low concentrations of light elements such as C, O and N can be profiled in a heavy matrix such as Fe or GaAs. Here we present an overview of mass and energy dispersive recoil Spectrometry and illustrate its successful use in some typical applications. 相似文献
64.
65.
半导体激光二极管触发下砷化镓(GaAs)光导开关工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的GaAs 光导开关以提高开关场强.设计的开关芯片厚度为2 mm,电极间隙为3 mm,利用半导体激光二极管对开关进行触发实验.当开关充电电压超过8 kV 后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始雪崩工作模式.随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加,但开关输出波形没有改变.对开关抖动进行测试,其测试结果显示开关偏压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,当开关偏压升至15 kV 时,开关获得最小抖动约500 ps. 相似文献
66.
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 总被引:2,自引:1,他引:2
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B. 相似文献
67.
68.
W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT(赝晶型高电子迁移率晶体管)混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。 相似文献
69.
设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性. 相似文献
70.