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101.
本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw<70 Å并且衬底厚度Lb<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw>70 Å或者衬底厚度Lb>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.
关键词:
分数维方法
GaAs薄膜
极化子
低维异质结构 相似文献
102.
M. R. Melloch D. D. Nolte J. M. Woodall J. C. P. Chang D. B. Janes E. S. Harmon 《固体与材料科学评论》1996,21(3):189-263
When arsenides are grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperatures, as much as 2% excess arsenic can be incorporated into the epilayer. This excess arsenic is in the form of antisites, but there is also a substantial concentration of gallium vacancies. With anneal, there is a significant decrease in the arsenic antisite and gallium vancancy concentrations as the excess arsenic precipitates. With further anneal, the arsenic precipitates coarsen. This combination of low substrate temperature molecular beam epitaxy and a subsequent anneal results in a broad spectrum of materials, from highly defected epilayers to a two-phase system of semimetallic arsenic precipitates in an arsenide semiconductor matrix. These materials exhibit some very interesting and useful electrical and optical properties. 相似文献
103.
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶圆级键合匹配的影响,系统分析了键合温度、键合压力、键合介质厚度及摩擦... 相似文献
105.
文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器,由于篇幅的关系,本文着重评述InAsSb应变层超晶格红外探测器和GaAs/GaAlAs多量子阱红外探测器的特点、器件结构、主要制作工艺,性能参数,以及急需要解决的一些问题。 相似文献
106.
107.
倍频变容管的特性直接影响变容管倍频器的性能。文中介绍倍频变容管的设计 ,并制作出了与设计结果基本一致的器件。获得了输入 8GHz、5 0 0 m W,输出 16 GHz,最高倍频效率大于5 0 %的二倍频测试结果 ,并给出了 8mm四倍频器的使用结果 相似文献
108.
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑
关键词:
低能质子
非电离能损
硅
砷化镓 相似文献
109.
使用飞秒时间分辨抽运-探测透射光谱技术,实验研究了GaAs体材料中光激发载流子的超快弛豫动力学的波长依赖.在相同的光激发载流子浓度和抽运/探测比时,发现760 nm和780 nm两中心波长处的瞬态透射变化延迟扫描信号出现负的和振荡的信号.与模拟计算结果对比,判定该实验瞬态信号是错误的.分析探测器输出波形,发现是由于反相波形导致的,而引起反相波形的原因在于样品中存在长寿命的吸收过程.指出通过提高探测器上的抽运/探测比能够矫正反相波形,从而获得正确的瞬态透射变化动力学.提高探测器上的抽运/探测比与目前的应尽量减小抽运光对探测器的散射贡献的观点是对立的.文章的研究结果对应用抽运-探测时间分辨光谱技术正确地测量超快瞬态动力学过程具有重要的参考价值.
关键词:
时间分辨抽运-探测透射光谱
饱和吸收
吸收增强
GaAs体材料 相似文献
110.
The transition phase of GaAs from the zincblende (ZB)
structure to the rocksalt (RS) structure is investigated by ab initio plane-wave
pseudopotential density functional theory method, and the thermodynamic
properties of the ZB and RS structures are obtained through the
quasi-harmonic Debye model. It is found that the transition from the ZB
structure to the RS structure occurs at the pressure of about 16.3\,GPa,
this fact is well consistent with the experimental data and other theoretical results. The
dependences of the relative volume V/V0 on the pressure P, the Debye
temperature \Th and specific heat CV on the pressure P, as well as
the specific heat CV on the temperature T are also obtained
successfully. 相似文献