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251.
本文提出了一种应用于多通道CZT探测器低功耗、小面积、抗辐照12位1MS/s逐次逼近模数转换器芯片。为了提高SAR-ADC的精度,提出了一种新型比较器,该比较器能够实现失调电压自校准功能。同时为了减少电荷分配DAC中电容失配的问题,提出了分散式电容阵列。通过电路级和版图级技术加固,提高该SAR-ADC芯片的抗辐照能力。原型芯片采用TSMC 0.35um 2P4M CMOS工艺。电源电压为3.3V和5V,采样率是1MS/s。该SAR-ADC芯片能够实现高达67.64dB的信纳比SINAD,然而仅消耗10mWz功耗。该芯片核心面积为1180um×1080um。 相似文献
252.
应用于无线传感网络的低功耗10bit 300Ksps多通道逐次逼近型模数转换器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文给出了一款可应用于无线传感网络的低功耗10bit 300Ksps的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的设计。采用了单端结构低功耗的拆分式电容阵列DAC和具有轨到轨输入级的比较器来实现本文中的ADC,可以减小功耗同时扩展满量程输入范围。为了实现功耗优化,采用2V的低电源电源供电。设计的ADC还具有4个模拟信号通道,使其更适用于无线传感网络的应用。电路样片采用3.3V 0.35μm 2P4M CMOS工艺实现,占用了1.23mm2的芯片面积,测试结果表明在2V供电166Ksps的采样速率下,ADC的功耗只有200uW,计算得到的信噪比为58.25dB,有效位数为9.38bit,品质因子FOM为4.9pJ/conversion-step。 相似文献
253.
An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO2 on the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V2O5 and Y2O3 are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO2 makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V1mA (V1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier ΦB (ΦB = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics undoped with Ge and GeO2 and mono-doped with Ge or GeO2. The TiO2-V2O5-Y2O3-Ge-GeO2 ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties. 相似文献
254.
本文描述了一个关于模式自动切换电荷泵的开关感应误差电压的精确表达式,此误差电压会在输出电容上产生一个冲击电压。这将会导致一些不希望得到的结果:大的输出电压纹波,有害的高频噪声和低的效率。通过这个表达式可以得到一些减小输出电容上冲击电压的方法。一个等效集总模型被用来推出此表达式。本文中的模式自动切换电荷泵使用SILTERRA0.18?m CMOS工艺实现。实验结果显示冲击电压的值与表达式的计算结果十分吻合。通过比较三个不同的经过改进的版本的测试结果,可以看到由开关感应产生的过冲电压明显的减小。 相似文献
255.
256.
257.
We reported the influence of interface trap density(Nt) on the electrical properties of amorphous InSnZnO based thin-film transistors,which were fabricated at different direct-current(DC) magnetron sputtering powers.The device with the smallest Nt of 5.68×1011 cm-2 and low resistivity of 1.21×10-3Ω·cm exhibited a turn-on voltage(VON) of-3.60 V,a sub-threshold swing(S.S) of 0.16 V/dec and an on-off ratio(ION/IOFF) of8 x 108.With increasing Nt,the VON,S.S and ION/IOFF were suppressed to-9.40 V,0.24 V/dec and 2.59×108,respectively.The VTH shift under negative gate bias stress has also been estimated to investigate the electrical stability of the devices.The result showed that the reduction in Nt contributes to an improvement in the electrical properties and stability. 相似文献
258.
A new voltage-programmed driving scheme named the mixed parallel addressing scheme is presented for AMOLED displays, in which one compensation interval can be divided into the first compensation frame and the consequent N-1 post-compensation frames without periods of initialization and threshold voltage detection. The proposed driving scheme has the advantages of both high speed and low driving power due to the mixture of the pipeline technology and the threshold voltage one-time detection technology. Corresponding to the proposed driving scheme, we also propose a new voltage-programmed compensation pixel circuit, which consists of five TFTs and two capacitors(5T2C). In-Zn-O thin-film transistors(IZO TFTs) are used to build the proposed 5T2C pixel circuit. It is shown that the non-uniformity of the proposed pixel circuit is considerably reduced compared with that of the conventional 2T1C pixel circuit. The number of frames(N) preserved in the proposed driving scheme are measured and can be up to 35 with the variation of the OLED current remaining in an acceptable range. Moreover, the proposed voltage-programmed driving scheme can be more valuable for an AMOLED display with high resolution, and may also be applied to other compensation pixel circuits. 相似文献
259.
针对型号研制过程中出现的交流电源频率测量出现跳变的问题,进行了故障定位和原因分析,并提出了解决方案。设计了适用于飞机交流电源系统频率测量电路的低通滤波器,对其特性进行了计算分析,并基于SIMULINK建立了滤波器的模型,进行了仿真验证,结果表明设计的滤波器是有效的。 相似文献
260.
输入串联输出并联全桥变换器在高压大功率DC-DC场合应用十分广泛.本文为了解决输入串联输出并联全桥变换器的输入不均压问题,探究了输入串联输出并联全桥变换器输入侧分压不均和输出侧分流不均的根本原因,研究了该型变换器负载大小对输入均压的影响,定量分析了负载大小和输入不均压程度的关系公式;基于这种分析,提出了通过均压电阻强制给定负载的方法实现输入均压,从而实现了该型变换器的控制简化.文章最后通过仿真和样机实验验证了该方法的有效性和正确性,运用该方法的输入串联输出并联全桥变换器输入电压不均压程度控制在输入电 压的2%,满足工程实践要求. 相似文献