无线mesh网中最小编码代价低时延多播路由

提出了一种无线mesh网中最小网络编码代价低时延多播路由协议(MNCLDMR, minimal network coding and low delay multicast routing)。MNCLDMR的目标是选择合适的网络编码节点,最小化网络编码代价,降低网络时延。MNCLDMR主要思想是引入拓扑关键节点和网络编码关键节点的概念,以下一跳的节点是否是网络编码关键节点或拓扑关键节点作为路由判据,采用MNCLD算法构造多播树。仿真结果表明,MNCLDMR可以达到预定目标,合理形成网络编码机会,能实现最小网络编码代价低时延多播路由。     

用高速DSP实现雷达地物杂波模拟

把高速数字信号处理器(DSP)用于雷达的杂波模拟是一项很有前景、且正在被广泛应用的技术。文中从雷达杂波的分布特性出发,分析了低分辨率雷达的地物杂波的幅度概率密度分布和功率谱分布特性。并建立了一种有效的快捷的杂波模拟算法模型,以ADSP-TS101S为核心,设计完成了采用并行处理结构的一种雷达杂波实时模拟系统。     

低声阻抗0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料的研制

压电陶瓷材料的高声阻抗制约着其在水听器和超声成像方面的应用。为了对压电陶瓷材料的声阻抗和声速进行调节,本研究以聚偏氟乙烯(PVDF)及钛酸铅(PT)和锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉体为原料,经过流延、热压等工艺制得了4种含有不同量PT及PZT的0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料。研究了所制压电复合材料的声学、压电和介电性能。结果表明:所制压电复合材料的声阻抗均小于140 MPa.s/m,最优压电应变常数d33达43 pC/N,相对介电常数为185～210,介质损耗约为2×10–2。     

高压大容量变频技术现状及交——交SDM级联技术简介

本文通过对目前广泛使用的三电平及多电平级联高压变频控制方案技术特点的对比论述，介绍了一种新型高压大容量变频器控制方案，并对该方案的优越性作了介绍。     

基于光电信号控制触发的四路高压脉冲源

给出了一种基于光电信号来作为四路高压脉冲源触发控制的设计原理和方法,采用光电信号作为前级控制触发脉冲,驱动后级高压半导体开关器件（IGBT）输出高压脉冲信号。设计了一台脉冲幅度为500 V~1 k V、脉冲宽度大于500 ns、脉冲前沿小于25 ns以及各通道之间输出的高压脉冲信号分散性小于10 ns的四路高压脉冲源。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了单次触发情况下四路高压脉冲输出的实验结果。     

一种适用于微传感器读出电路的低噪声、低失调斩波放大器

提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片在0.35μm 2P4M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在3.3V的典型电源电压和100kHz的斩波频率下,斩波放大器具有小于93.7μV的输入等效失调电压典型值,19.6nV/Hz的输入等效噪声,开环增益达83.9dB,单位增益带宽为10MHz.     

Structural and Passivative Behaviors of Cu(In) Thin Film

This investigation prepares a low-resistivity and self-passivated Cu(In) thin film. The dissociation behaviors of dilute Cu-alloy thin films, containing 1.5–5at.%In, were prepared on glass substrates by a cosputter deposition, and were subsequently annealed in the temperature range of 200–600 °C for 10–30 min. Thus, self-passivated Cu thin films in the form In₂O₃/Cu/SiO₂ were obtained by annealing Cu(In) alloy films at an elevated temperature. Structural analysis indicated that only strong copper diffraction peaks were detected from the as-deposited film, and an In₂O₃ phase was formed on the surface of the film by annealing the film at an elevated temperature under oxygen ambient. The formation of In₂O₃/Cu/SiO₂ improved the resistivity, adhesion to SiO₂, and passivative capability of the studied film. A dramatic reduction in the resistivity of the film occurred at 500 °C, and was considered to be associated with preferential indium segregation during annealing, yielding a low resistivity below 2.92 μΩcm. The results of this study can be potentially exploited in the application of thin-film transistor–liquid crystal display gate electrodes and copper metallization in integrated circuits.     

关于通信导航设备电源防雷的探讨

根据通信导航设备在雷击中的损坏现象，提出了电源防雷措施，即实施分级保护，在多雷区配置防雷变压器。简单介绍了级间配合，抑制横向过电压的产生，以及接地阻抗的简单计算和正确选用等，以达到对电源系统的有效防雷保护。     

外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响研究

激光电化学刻蚀是将激光加工技术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀工艺。为了研究外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响,本文采用248nm KrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极半导体n—Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,详细分析外加电压对刻蚀工艺的影响,并对其产生的原因进行了分析。试验结果表明其影响主要有两个方面：（1）正的外加电压保证了SiO2钝化膜生成,从而实现了选择性刻蚀;（2）外加电压的增大,刻蚀速率会相应减小。因而外加电压也是调节刻蚀速率的一个重要的手段。     

低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器

氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势。基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备。该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz。测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB。芯片尺寸为850μm×1700μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小。