Quantum chemical studies on electrophilic addition

The geometries of the 2-chloroethyl and ethylenechloronium cations, two possible intermediates in the electrophilic addition of chlorine to ethylene, have been fully optimized using ab initio molecular orbital calculations employing the split valence shell 4-31G basis set.These geometries were then used to compute more accurate wave functions using Dunning's double-zeta basis set. The bridged chloronium ion was found to be more stable by 9.35 kcal/mole, the opposite order of stability from the C₂H₄F⁺ ions. Interconversion of the two C₂H₄Cl⁺ cations was computed to have a barrier of 6.25 kcal/mole.The activation energy for this chlorination reaction, using the ethylenechloronium cation and a chlorine anion at infinite separation as the model for the activated complex, was computed to be 128.7 kcal/mole, showing that this is not a feasible gas phase reaction.     

Influence of surface structure on surface analytical statements

The influence of surface structure of technical materials on results and statements of surface analytical methods has been investigated. Especially surface roughness as a typical property of rolled products has been observed. For this purpose samples of steel (technical surface, roughness up to 5 m) and silicon wafers (polished surface) have been analyzed by SNMS and GDOS in order to get information about changes of the surface roughness as function of the sputtering time and their influence on the statements about the depth profiles obtained.     

一种UHF频段无线数据传输系统接入点的射频前端

介绍了UHF(特高频)频段无线数据传输系统中接入点的一种射频前端。该前端包括调制器、上变频器、功率放大器、低噪声放大器、下变频器、解调器、频率合成器、增益控制和收发切换开关等电路。介绍了射频前端的实现方案以及关键部件的设计与测试。制作完成的射频前端集成在一块1 5 0mm×1 0 0mm的4层印制电路版上。该前端最大输出功率可达2W,接收灵敏度优于-100 dBm,收发切换时延小于1.5μs,满足系统指标要求。     

LTCC基板制造工艺研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ、８０ｍｍ×８０ｍｍ的多层共烧基板     

全合成法光纤预制棒制造研究

介绍了一种全新的全合成法G.655和G.656光纤制造工艺,详细分析了该工艺中芯层折射率差Δ0、芯层厚度a、第二包层的折射率差Δ2、第二包层的厚度c2等结构参量与光纤光学性能的关系.结果表明,制造该两种光纤时,Δ0应在0.012 0～0.015 5之间,Δ2应在0.014 0～0.023 0之间,a应在2.8～3.2 μm之间,c2应在满足截止波长的要求下尽可能小.     

基于小波能量距的雷达距离像特征提取

基于小波分析的方法,采用雷达目标一维距离像回波在不同频带的能量距特征,以此特征为基础,利用径向基概率神经网络对4类目标进行识别,并与传统的子带能量特征方法进行对比,仿真实验结果表明：对雷达目标距离像进行特征提取时,能量距特征更好地利用了小波分析的时频信息,所得特征向量类间类内距离比大于能量特征,目标的可分性更好,识别率得到了提高,因而能量距特征优于能量特征。     

变温LPCVD沉积氮化硅薄膜的均匀性优化

以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度.基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式.分析比较了LPCVD炉内不同升温速率沉积氮化硅薄膜的表面性能.发现在变温沉积阶段,选择合适的降温速率是实现薄膜沉积...     

一种5.0~9.3 GHz低功耗宽带低噪声放大器设计

针对Wi-Fi 6、Wi-Fi 6E(5 GHz、6 GHz)的低功耗、宽带宽等无线局域网(WLAN)设备需求,基于65 nm CMOS工艺设计了一款两级低功耗宽带低噪声放大器(LNA)。电路第一级采用结合互补共源电路的共源共栅结构,通过电感峰化技术和负反馈技术的运用,提高输入跨导,降低噪声,并拓展带宽和提高增益平坦度。第二级在共漏极缓冲器基础上引入辅助放大结构、电感峰化技术,实现抵消第一级共源管的噪声并拓展带宽。电路采用提出的前向衬底自偏置技术,以降低电路对电源电压的依赖,整体电路实现两路电流复用,从而有效降低了功耗。仿真结果表明,在5~9.3 GHz频带内LNA的S21为17.8±0.1 dB,S11小于-9 dB、S22小于-11.9 dB,噪声系数小于1.34 dB。在0.8 V电压下整体电路功耗为5.3 mW。     

双"单电桥"法测量低电阻中的实用技巧例举

主要介绍了双"单电桥"法测量低电阻的基本原理与双"单电桥"法测量低电阻的几种实用技巧.     

一种1.8 V低功耗2 GHz预分频电路的设计

描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.