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31.
从D触发器激励表入手,分别给出了采用单边沿D触发器和双边沿D触发器的2^n进制异步加法计数器、减法计数器的设计方法.在此基础上,采用逻辑函数修改技术,通过实例讨论了基于单边沿D触发器和双边沿D触发器的异步任意进制计数器的设计.该设计方法方便,快速,具有一定的实用意义. 相似文献
32.
B. Ananthanarayan 《Pramana》2003,61(5):911-920
A review of chiral perturbation theory and recent developments on the comparison of its predictions with experiment is presented.
Some interesting topics with scope for further elaboration are touched upon. 相似文献
33.
34.
提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析. 相似文献
35.
本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析,相应的研究结果表明此法有利于拓宽STN液晶显示器的负温工作范围。 相似文献
36.
The pyrolysis of tertiarybutylphosphine (TBP) has been studied in the low pressure conditions used for chemical beam epitaxy
(CBE). The pyrolysis studies were carried out in low pressure reactors of two different configurations, one of which is a
cracker cell designed for use in a CBE system. The reaction products were studied using a quadrupole mass spectrometer. The
products observed are accounted for by a reaction mechanism involving homolysis of the parent TBP molecule to produce PH2 and C4H9 radicals. These undergo subsequent reactions to form the stable products C4H8, PH3 and H2, with smaller amounts of P and P2 being produced. The production of the sub-hydride PH2 using this cracker cell design indicates that the use of partially cracked TBP may be a promising technique for reducing
the amount of carbon incorporated into the growing epitaxial layer. 相似文献
37.
国内研制的20/30Ⅱ代倒象微光管经常出现微通道板真空体电阻偏高或偏低的问题,直接影响Ⅱ代倒象微光管荧光屏的亮度和目标分辨力,严重影响微光管的质量。经过对20/30Ⅱ代倒象微光管的研制和理论分析,证明英国马拉德公司对用于××1383Ⅱ代倒象微光管的H36微通道板技术条件中真空体电阻技术指标的规定也存在一定的问题。本文从目前国内外工艺水平和有关文献资料的分析出发,进行专题研究。本文中所推导的计算公式和对文献资料提供的技术数据的推导分析,同样适用于其他型号微通道板的真空体电阻与相应Ⅱ代、Ⅲ代微光管匹配关系的计算与研究。 相似文献
38.
39.
首先对OFDM的发展以及应用做了简要的介绍,然后讨论了当前OFDM研究过程中的两个关键技术问题,最后展望了OFDM的未来发展。 相似文献
40.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献