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301.
302.
Simulation studies are made on the large-signal RF performance and avalanche noise properties of heterojunction double-drift region (DDR) impact avalanche transit time (IMPATT) diodes based on AlxGa1-xN/GaN material system designed to operate at 1.0 THz frequency. Two different heterojunction DDR structures such as n-Al0.4Ga0.6N/p-GaN and n-GaN/p-Al0.4Ga0.6N are proposed in this study. The large-signal output power, conversion efficiency and noise properties of the heterojunction DDR IMPATTs are compared with homojunction DDR IMPATT devices based on GaN and Al0.4Ga0.6N. The results show that the n-Al0.4Ga0.6N/p-GaN heterojunction DDR device not only surpasses the n-GaN/p-Al0.4Ga0.6N DDR device but also homojunction DDR IMPATTs based on GaN and Al0.4Ga0.6N as regards large-signal conversion efficiency, power output and avalanche noise performance at 1.0 THz. 相似文献
303.
We reported the influence of interface trap density(Nt) on the electrical properties of amorphous InSnZnO based thin-film transistors,which were fabricated at different direct-current(DC) magnetron sputtering powers.The device with the smallest Nt of 5.68×1011 cm-2 and low resistivity of 1.21×10-3Ω·cm exhibited a turn-on voltage(VON) of-3.60 V,a sub-threshold swing(S.S) of 0.16 V/dec and an on-off ratio(ION/IOFF) of8 x 108.With increasing Nt,the VON,S.S and ION/IOFF were suppressed to-9.40 V,0.24 V/dec and 2.59×108,respectively.The VTH shift under negative gate bias stress has also been estimated to investigate the electrical stability of the devices.The result showed that the reduction in Nt contributes to an improvement in the electrical properties and stability. 相似文献
304.
A new voltage-programmed driving scheme named the mixed parallel addressing scheme is presented for AMOLED displays, in which one compensation interval can be divided into the first compensation frame and the consequent N-1 post-compensation frames without periods of initialization and threshold voltage detection. The proposed driving scheme has the advantages of both high speed and low driving power due to the mixture of the pipeline technology and the threshold voltage one-time detection technology. Corresponding to the proposed driving scheme, we also propose a new voltage-programmed compensation pixel circuit, which consists of five TFTs and two capacitors(5T2C). In-Zn-O thin-film transistors(IZO TFTs) are used to build the proposed 5T2C pixel circuit. It is shown that the non-uniformity of the proposed pixel circuit is considerably reduced compared with that of the conventional 2T1C pixel circuit. The number of frames(N) preserved in the proposed driving scheme are measured and can be up to 35 with the variation of the OLED current remaining in an acceptable range. Moreover, the proposed voltage-programmed driving scheme can be more valuable for an AMOLED display with high resolution, and may also be applied to other compensation pixel circuits. 相似文献
305.
针对型号研制过程中出现的交流电源频率测量出现跳变的问题,进行了故障定位和原因分析,并提出了解决方案。设计了适用于飞机交流电源系统频率测量电路的低通滤波器,对其特性进行了计算分析,并基于SIMULINK建立了滤波器的模型,进行了仿真验证,结果表明设计的滤波器是有效的。 相似文献
306.
基于改进型双门限语音端点检测算法的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
语音端点检测是语音信号处理过程中的一个重要步骤,其检测准确性直接影响语音信号处理的速度和效果.传统的基于双门限法语言检测技术,在语音处于纯语音情况下判断语音端点较准确,但在语音处于噪声情况下,尤其是低信噪比的情况下,端点识别率很低,出错率很高.基于提高此方法识别率的目的,采用调整阈值个数,平滑滤波,引入语音结束最小长度的方法对其进行改进,通过了Matlab仿真实验,得出了较好的语音端点检测准确率. 相似文献
307.
针对中值滤波性能受滤波窗口长度影响的问题,提出了一种结合局域均值分解(Local Mean Decomposition,LMD)的多尺度中值滤波方法,并对其在遥测信号脉冲噪声抑制中的应用进行了分析.利用LMD将待分析信号分解为不同尺度的乘积函数(Product Function,简称PF),按PF的阶次设定中值滤波窗口长度对PF分别进行中值滤波,用滤波后PF重构获的脉冲噪声抑制后信号.这一方法在抑制脉冲噪声干扰的同时,可最大程度保护信号的细节信息不受损失.仿真信号和实测信号处理证明了方法的有效性. 相似文献
308.
分析研究了如何设计X波段中频相参多普勒天气雷达接收机方案以及如何计算接收机噪声系数、接收机灵敏度、前端增益与系统动态范围。同时提出了稳定本振的措施,使数字中频接收机具有可靠性高、灵敏度高、增益高、选择性好、动态范围大、适应性广、自动实现数字频率跟踪,数字定相等优点。 相似文献
309.
310.
基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器(OPAMP)输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0.290 mA到0.433 mA变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0.239 mA到0.244 mA之间,且电流变化只有0.005 mA。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0.739 mA,而基于CRD偏置电路电流只有0.222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。 相似文献