超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

宽低温STN—LCD加热装置的研制

本文介绍了宽低温ＳＴＮ－ＬＣＤ加热装置的设计和制备方法，并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析，相应的研究结果表明此法有利于拓宽ＳＴＮ液晶显示器的负温工作范围。     

Pyrolysis of tertiarybutylphosphine at low pressure

The pyrolysis of tertiarybutylphosphine (TBP) has been studied in the low pressure conditions used for chemical beam epitaxy (CBE). The pyrolysis studies were carried out in low pressure reactors of two different configurations, one of which is a cracker cell designed for use in a CBE system. The reaction products were studied using a quadrupole mass spectrometer. The products observed are accounted for by a reaction mechanism involving homolysis of the parent TBP molecule to produce PH₂ and C₄H₉ radicals. These undergo subsequent reactions to form the stable products C₄H₈, PH₃ and H₂, with smaller amounts of P and P₂ being produced. The production of the sub-hydride PH₂ using this cracker cell design indicates that the use of partially cracked TBP may be a promising technique for reducing the amount of carbon incorporated into the growing epitaxial layer.     

微通道板真空体电阻与Ⅱ代倒象微光管匹配关系的研究

国内研制的20/30Ⅱ代倒象微光管经常出现微通道板真空体电阻偏高或偏低的问题,直接影响Ⅱ代倒象微光管荧光屏的亮度和目标分辨力,严重影响微光管的质量。经过对20/30Ⅱ代倒象微光管的研制和理论分析,证明英国马拉德公司对用于××1383Ⅱ代倒象微光管的H36微通道板技术条件中真空体电阻技术指标的规定也存在一定的问题。本文从目前国内外工艺水平和有关文献资料的分析出发,进行专题研究。本文中所推导的计算公式和对文献资料提供的技术数据的推导分析,同样适用于其他型号微通道板的真空体电阻与相应Ⅱ代、Ⅲ代微光管匹配关系的计算与研究。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

现代热力学的完整分类系统--非平衡非耗散热力学新领域

在同一体系中同时有多个不可逆过程时，不可逆过程之间会有相互影响，原来的非自发过程有可能在其他自发过程的影响下得以进行，这种现象就称为热力学耦合或反应耦合，长期以来，经典热力学把热力学第二定律的等式作为平衡体系的充分必要条件，其中隐含了一个前提性的假定，即经典热力学的对象只限于非耦合的体系，摈弃这一隐含的前提性假定以后，热力学自身就发展成为一个现代热力学的完整学术体系，适用于任何宏观体系（包括极其复杂的生命体系），现代热力学的完整学术体系中包含了一个崭新的非平衡非耗散热力学新领域，由于该领域属于热力学第二定律的等式部分，因此可以定量计算，并得到一系列理论计算的非平衡相图，与文献上报道的激尖低压金刚石合成等的大量实验数据相符。     

我国低温等离子体研究进展(Ⅰ)

低温等离子体物理与技术的研究在国内受到了越来越多的重视．在等离子体中发现的一些有趣的物理现象，如磁场重联、尘埃等离子体等，使人们对等离子体物理的研究掀起了新的热潮．在应用方面，几乎所有理工类实验室都有涉及低温等离子体技术的实验装置，这使得在我国低温等离子体应用方面的研究非常普及，包括微电子工业中的等离子体工艺，各种坚硬、耐腐蚀、耐摩擦材料的制备，纳米材料的制备，聚合物以及生物材料的表面改性，等等．随着低温等离子体技术的发展，低温等离子体的诊断技术也随之发展起来．文章简要地介绍了近几年来低温等离子体研究在我国的发展，介绍了一些有关低温等离子体的热点研究课题．     

串扰耦合的低频分析有效性及阻抗特性研究

从传输线模型出发，分析了二平行直导线间串扰的低频模型有效性，得出允许3dB误差的条件下，低频模型在工程计算串扰中的电学短线和频率足够小的具体限值；同时分析了端接阻抗大小对串扰耦合的影响。对电磁兼容性中的串扰耦合的工程应用有实际指导和参考意义。     

轴快流CO2激光器气体压力控制

激光切割对激光功率模式、功率密度和功率稳定性要求很高,采用轴快流CO2激光器时,控制工作气体压力工作在最佳状态并保持其恒定是激光器输出连续、稳定功率的必要条件和关键技术之一。在深入研究激光器工作原理和影响激光输出功率因素的基础上,采用带积分分离的智能PID控制算法对工作气体压力进行调节。该过程控制算法简单实用,可以有效地提高气体压力控制精度,改善功率控制精度和稳定性,并用实验加以验证。