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181.
为验证已建立的现场可编程门阵列(FPGA)器件准实时寿命评价系统的工程合理性,进行了加速寿命试验的设计.验证试验的设计,考虑不同型号之间的可靠性差异,针对特定型号的Xilinx XCV600 FPGA样本,能够定位样本内部具体失效部位.针对FPGA高可靠性的特点,施加温度、电压和频率3种加速应力;针对FPGA使用环境多变的特点,构建了整套载荷数据跟踪与处理流程.试验方案通过硬件和软件系统实现,硬件系统进行FPGA工作环境的加载及准实时工作情况数据的采集,软件系统基于电迁移失效机理对采集到的数据进行处理得到寿命信息,将试验与预测结果进行比对完成验证.实践表明了该试验设计的可实施性,确认了部分系统预测结果的准确性. 相似文献
182.
电磁矢量传感器阵列相干信号源波达方向和极化参数的同时估计:空间平滑方法 总被引:16,自引:0,他引:16
研究如何利用电磁矢量传感器阵列中隐含的冗余空域信息解决多个相干极化信号源的二维波达方向(DOA)和极化参数的同时估计问题。基于整个阵列中所隐含的多个空域旋转不变结构,将组成阵列的单个或多个电磁矢量传感器单元看作一个无模糊子阵,利用空间平滑方法对阵列数据进行预处理,以恢复信号协方差矩阵的秩特性。在此基础上,利用多信号分类方法(MUSIC)和旋转不变参数估计方法(ESPRIT)完成多个相干极化信号源的二维 DOA 和极化参数的同时估计。文中还讨论了成功进行信号解相干的必要条件,并通过计算机仿真验证和比较了所给方法的有效性及其辨识能力。 相似文献
183.
184.
多次散射激光雷达接收信号的模拟 总被引:6,自引:0,他引:6
MonteCarlo方法模拟多次散射激光雷达接收信号是一种经典方法,但这种方法的最大缺点是计算时间很长.为提高计算效率,本文在传统的半解析MonteCarlo方法的基础上,使用Henyey-Greenstein函数的修正公式来表示散射相位函数,计算出每个散射点处光子不发生进一步散射而直接到达接收机的概率.模拟结果显示,一、二、三次散射起主要作用,但随着海水衰减系数和接收机视场角的增大,高次散射对激光雷达的接收信号的作用也越来越强. 相似文献
185.
In order to test the anti-interference ability of an Unmanned Aerial Vehicle (UAV) data link in a complex electromagnetic environment, a method for simulating the dynamic electromagnetic interference of an indoor wireless environment is proposed. This method can estimate the relational degree between the actual face of an UAV data link in an interface environment and the simulation scenarios in an anechoic chamber by using the Grey Relational Analysis (GRA) theory. The dynamic drive of the microwave instrument produces a real-time corresponding interference signal and realises scene mapping. The experimental results show that the maximal correlation between the interference signal in the real scene and the angular domain of the radiation antenna in the anechoic chamber is 0.959 3. Further, the relational degree of the Signal-to- Interference Ratio (SIR) of the UAV at its reception terminal indoors and in the anechoic chamber is 0.996 8, and the time of instrument drive is only approximately 10 祍. All of the above illustrates that this method can achieve a simulation close to a real field dynamic electromagnetic interference signal of an in-door UAV data link. 相似文献
186.
Brenda Long Mary Manning Micheal Burke Bartholomaeus N. Szafranek Giuseppe Visimberga Damien Thompson James C. Greer Ian M. Povey John MacHale Guaylord Lejosne Daniel Neumaier Aidan J. Quinn 《Advanced functional materials》2012,22(4):717-725
A simple, versatile method for non‐covalent functionalization of graphene based on solution‐phase assembly of alkane‐amine layers is presented. Second‐order Møller–Plesset (MP2) perturbation theory on a cluster model (methylamine on pyrene) yields a binding energy of ≈220 meV for the amine–graphene interaction, which is strong enough to enable formation of a stable aminodecane layer at room temperature. Atomistic molecular dynamics simulations on an assembly of 1‐aminodecane molecules indicate that a self‐assembled monolayer can form, with the alkane chains oriented perpendicular to the graphene basal plane. The calculated monolayer height (≈1.7 nm) is in good agreement with atomic force microscopy data acquired for graphene functionalized with 1‐aminodecane, which yield a continuous layer with mean thickness ≈1.7 nm, albeit with some island defects. Raman data also confirm that self‐assembly of alkane‐amines is a non‐covalent process, i.e., it does not perturb the sp2 hybridization of the graphene. Passivation and adsorbate n‐doping of graphene field‐effect devices using 1‐aminodecane, as well as high‐density binding of plasmonic metal nanoparticles and seeded atomic layer deposition of inorganic dielectrics using 1,10‐diaminodecane are also reported. 相似文献
187.
Subir Parui Luca Pietrobon David Ciudad Saül Vélez Xiangnan Sun Fèlix Casanova Pablo Stoliar Luis E. Hueso 《Advanced functional materials》2015,25(20):2972-2979
The formation of an energy‐barrier at a metal/molecular semiconductor junction is a universal phenomenon which limits the performance of many molecular semiconductor‐based electronic devices, from field‐effect transistors to light‐emitting diodes. In general, a specific metal/molecular semiconductor combination of materials leads to a fixed energy‐barrier. However, in this work, a graphene/C60 vertical field‐effect transistor is presented in which control of the interfacial energy‐barrier is demonstrated, such that the junction switches from a highly rectifying diode at negative gate voltages to a highly conductive nonrectifying behavior at positive gate voltages and at room temperature. From the experimental data, an energy‐barrier modulation of up to 660 meV, a transconductance of up to five orders of magnitude, and a gate‐modulated photocurrent are extracted. The ability to tune the graphene/molecular semiconductor energy‐barrier provides a promising route toward novel, high performance molecular devices. 相似文献
188.
189.
190.