一种时延范德波尔电磁系统中的复杂行为(Ⅰ)——分岔与混沌现象

建立了一种可积的无穷维系统——时延范德波尔电磁系统，采用Poincaré映射分析了系统随参数E和λ变化发生的分岔与混沌现象，发现这种时延系统具有复杂的非线性动力学特性，例如吸引子共存、间歇性混沌、类似边界碰撞分岔通向混沌以及周期增加的现象.在研究系统时间混沌行为的同时，还对空间混沌行为进行了初步分析，通过描绘空间分布图发现时延范德波尔电磁系统随参数E和λ变化时，在空间中会呈现出周期和混沌等不同的图案. 关键词： 分岔 混沌 无穷维系统 时延范德波尔电磁系统     

脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

对碳纳米管(CNT)掺杂MgB₂超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明，CNT掺杂MgB₂超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度J_c(H)在低磁场下提高了2—3倍，高场下提高一个数量级以上，扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB₂基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心. 关键词： 2')" href="#">MgB₂ 碳纳米管 脉冲磁场处理     

表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究

利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型，对内部电场强度和电势进行了深入研究，推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性，利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟，从理论上对模拟曲面给出了合理的解释，分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为，并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比，解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内，本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致. 关键词： 表面传导电子发射显示 遂穿效应 面电荷密度 电场强度     

Preparation and characterization of ZnO nanorods from NaOH solutions with assisted electrical field

ZnO naorods on ZnO-coated seed substrates were fabricated by solution chemical method from Zn(NO₃)₂/NaOH under assisted electrical field. The working mechanism of electrical field was analyzed and the factors affecting the rod growth such as potential, precursor concentration and growth temperature were elucidated. The structural and optical properties are characterized by SEM, TEM, XRD, HRTEM and UV-vis. The results indicated that the nanorods have wurtzite structure without electrical field and are primarily of zincite structure under electrical field; when the electrical field is 1.1-1.3 V, not only the elevation of ion diffusion and adsorption lower the crystallite/solution interfacial energy and then the crystal nucleation barrier by increasing charge intensity, but also the production of H⁺ through oxidation of OH⁻ increases properly the degree of solution supersaturation near the substrate, and thus lowers the activation energy. Both the two processes do favor to rod growth. With increasing precursor concentration in this system, the average diameter and length of ZnO nanorods increase, leading to decreasing of optical transmittance. The maximum rod growth rate at given concentration of Zn²⁺ occurs at a specific temperature.     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

场源基本微元的对称性与场的性质

直接由标量基本微元（点源）和矢量基本微元（电流元等）的对称性和两个基本假设讨论基本微元产生的场矢量的性质。     

核磁共振成像一维空间编码教学实验

利用梯度磁场实现检测信号的空间编码,是核磁共振成像(MRI)的关键技术.本文采用ccc系列样品将二维问题简化为一维,使用超小型教学用核磁共振成像仪进行了一维空间编码实验研究,并对实验过程及实验结果进行了计算模拟和分析.     

Correlated and non-correlated growth kinetics of pentacene in the sub-monolayer regime

We present a study of the growth kinetics of pentacene monolayer islands on SiO₂ in the submonolayer regime by using Atomic Force Microscopy (AFM). Two distinct growth modes, namely correlated growth (CG) and non-correlated growth (NCG), have been identified by Voronoi tesselation. These two modes are characterized by different island growth kinetics. In the case of correlated growth, the average island size 〈A〉 scales with deposition time t i.e. 〈A〉 ∝ t whereas for non-correlated growth, 〈A〉 ∝ t². The CG and NCG regimes are defined by the level of re-evaporation which determines the capture zones around the islands: Wigner-Seitz cells for CG and coronas of width λ_D (λ_D is the mean diffusion distance on SiO₂ before re-evaporation) for NCG. A simple model is proposed to reproduce the experimental growth kinetics in both modes.     

手分为多节段的人体热调节模型研究

将人体热调节柱状模型和手的多节段模型结合起来,建立了更完整的人体热调节模型。利用有限元方法对人体热调节数学模型进行了数值求解,并设计试验证明了模型的正确性。结果表明: (1)当取合适的血流量时,实验值和计算值的变化趋势一致,且手部温度稳定时,血流量都在确定的范围内;(2)血液流量是手部温度场变化的主要因素,人体组织和动脉入口温度对手部温度影响较小。     

用于快点火研究的超短脉冲的相干合成

 利用傅里叶光学方法，建立了一个基于远场的多束超短脉冲相干合成的理论模型。研究了一个口径为50 cm，脉宽为1 ps的超短脉冲相干合成系统的各种误差对脉冲远场时域和空域特性的影响。结果表明：若要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90％，该系统的相位延迟误差小于0.63，沿x方向角度误差小于0.37 μrad，沿y方向角度误差小于0.34 μrad；若要求远场叠加脉冲的时域展宽小于25％，系统的剩余啁啾因子应小于1.32(不考虑相位延迟)或1.52(考虑0.63的相位延迟)。