In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。     

Efficient top-emitting white organic light emitting device with an extremely stable chromaticity and viewing-angle

In this paper,we report on the fabrication of a top-emitting electrophosphorescent p-i-n white organic lightemitting diode on the basis of a low-reflectivity Sm/Ag semi-transparent cathode together with a thickness-optimized ZnS out-coupling layer.With a 24-nm out-coupling layer,the reflectivity of the cathode is reduced to 8% at 492 nm and the mean reflectivity is 24% in the visible area.By introducing an efficient electron blocking layer tris(1phenylpyrazolato,N,C2 ’)iridium(III)(Ir(ppz) 3) to confine the exciton recombination area,the current efficiency and the colour stability of the device are effectively improved.A white emission with the Ir(ppz) 3 layer exhibits a maximum current efficiency of 9.8 cd/A at 8 V,and the Commission Internationale de L’Eclairage(CIE) chromaticity coordinates are almost constant during a large voltage change of 6 V-11 V.There is almost no viewing angular dependence in the spectrum when the viewing angle is no more than 45,with a CIE x,y coordinate variation of only(±0.0025,±0.0008).Even at a large viewing angle(75),the CIE x,y coordinate change is as small as(±0.0087,±0.0013).     

CsPbI3钙钛矿量子点的精细纯化及其高效发光二极管的研究

钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)因其色纯度高、颜色控制精准、色域广以及溶液可加工等特点,在显示和照明等领域有着极大的应用前景.针对红光钙钛矿CsPbI3量子点纯化过程中相变和表面配体损失造成的荧光退化问题,本工作发展了一种甲苯和乙酸乙酯协同的混合溶剂纯化策略,能够避免纯化过程中的相变问题,获得了纯立方相的CsPbI...     

OLED背光源技术研究进展

有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。     

柔性有机发光器件封装材料气体渗透率的质谱法测量

柔性有机电致发光器件(FOLED)封装材料的研究已成为目前国内外FOLED研究的热点。如何测量水蒸汽、氧气和其他活性气体对FOLED封装材料的渗透率, 是FOLED封装材料研究的一个重要课题。提出用质谱分析技术解决柔性有机电致发光器件封装材料气体渗透率的测量问题, 建立了一个封装材料渗透率的质谱法测量系统。介绍了该系统的原理, 利用该系统测量了水蒸汽、氧气和二氧化碳等气体对PET塑料, 以及水蒸汽对ITO薄膜、银薄膜等材料的渗透率。所获得的实验结果与其他文献报道的数据进行了比较, 证明质谱法测量的结果是可信的。     

原子层沉积法制备高反射率的分布式布拉格反射镜

为提高GaN基发光二极管(LED)的发光强度,制备TiO₂/Al₂O₃分布式布拉格反射器(DBR)来提高其外量子效率是一种有效的方法。原子层沉积(ALD)法所制备的薄膜具有良好的均匀性,适合用来制备反射器材料。同时,TiN薄膜具有良好的类金属性质,且与TiO₂之间具有良好的粘附性,因此在DBR基础上再采用TiN反射层可以将反射率进一步提高。Matlab软件模拟结果表明,3~6周期厚的DBR,其反射率随厚度增加而提高。其中6周期DBR的反射率为95%,加上TiN薄膜后反射率可以得到进一步提高。实验结果与模拟结果吻合,6周期DBR+TiN结构的反射率达到99%。给带有该结构的LED注入50mA电流时,LED光输出功率(LOP)相对没有该结构的器件提升了约68.3%。     

氯化锌修饰蓝光量子点发光二极管EI北大核心CSCD

采用氯化锌(ZnCl_(2))修饰镉基CdSe/ZnS蓝光量子点(B-QD)薄膜,发现与量子点表面结合力更强的ZnCl_(2)能够部分取代量子点长链配体油酸,有效钝化量子点表面缺陷,提高薄膜的荧光量子效率(PLQY)。此外,由于ZnCl_(2)具有偶极作用,使量子点真空能级提高0.2 eV,一方面可改善电子和空穴载流子注入平衡,另一方面可有效降低发光器件的启亮电压,提高器件的发光寿命。这种无机配体修饰量子点薄膜的方法可能为解决蓝光量子点发光二极管(B-QLEDs)因空穴注入困难和量子点表面缺陷导致器件性能不高的问题提供一个有效思路。     

InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征

本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.     

p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性

随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型InGaN/GaN超晶格来提高有源层中的载流子注入效率.为了对比N面GaN基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED.通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面GaN基LED具有潜在的应用前景.     

Dependence of Pt(II) based phosphorescent emitter orientation on host molecule orientation in doped organic thin films

We report that the molecular orientation of a disk-shaped Pt(II) complex dopant in organic thin films is linearly proportional to the orientation of the host molecules. We ascribe this relationship to the parallel alignment of the Pt complex with the host molecules induced by a π-π interaction. This would be caused by their planar and conjugated structure, indicating that the intermolecular interaction and steric effect play an important role. This finding can be applied to obtain a horizontal emitter orientation, resulting in highly efficient OLEDs based on Pt(II) complexes.