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121.
C. Zălinescu 《Mathematical Methods of Operations Research》1991,35(4):291-298
In this paper there is stated a result on sets in ordered linear spaces which can be used to show that some properties of the sets are inherited by their convex hulls under suitable conditions. As applications one gives a characterization of weakly efficient points and a duality result for nonconvex vector optimization problems. 相似文献
122.
Cardy's formula for some dependent percolation models 总被引:2,自引:0,他引:2
F. Camia C. M. Newman V. Sidoravicius 《Bulletin of the Brazilian Mathematical Society》2002,33(2):147-156
We prove Cardy's formula for rectangular crossing probabilities in dependent site percolation models that arise from a deterministic cellular automaton with a random initial state. The cellular automaton
corresponds to the zero-temperature case of Domany's stochastic Ising ferromagnet on the hexagonal lattice (with alternating
updates of two sublattices) [7]; it may also be realized on the triangular lattice 𝕋 with flips when a site disagrees with
six, five and sometimes four of its six neighbors.
Received: 24 December 2001 相似文献
123.
Nucleation kinetics during the growth of InxGa1−xN on a GaN substrate have been studied. The behavior of nonequilibrium between the InxGa1−xN and the GaN substrate has been analyzed, and hence, the expression derived for the stress-induced supercooling/superheating
has been numerically evaluated. The maximum amount of stress-induced supercooling is found to be 1.017 K at x=0.12. These
values are incorporated in the classical heterogeneous nucleation theory. Using the regular solution model, the interfacial
tension between the nucleus and substrate and, hence, the interfacial tension between nucleus and mother phase and thermodynamical
potential of the compounds have been calculated. The amount of driving force available for the nucleation has been determined
for different compositions and degrees of supercooling. It has been shown that the value of the interaction parameter of InN-GaN
plays a dominant role in nucleation and growth kinetics of InxGa1−xN on a GaN substrate. These values have been used to evaluate the nucleation parameters. It is shown that the nucleation barrier
for the formation of a InxGa1−xN nucleus on a GaN substrate is minimum in the range of x=0.12 to x=0.17, and it has been qualitatively proved that good quality
InxGa1−xN on GaN can be grown only in the range 0<x≤0.2. 相似文献
124.
125.
X光底片在位相对标定 总被引:3,自引:0,他引:3
本文描述了X光底片在位相对标定技术。其原理是使X射线谱经阶梯形吸收滤片透射后,对X光底片曝光,测量底片的曝光量。文中给出了标定方法和数据处理方法,而且也给出了在X光激光实验中得到的Kodak AA5底片的特性曲线。 相似文献
126.
马云辉 《微电子学与计算机》1998,15(6):48-51
本文采用信号流图法设计了一种基于OTA的三输入一输出多功能电压模滤波器新电路,该电路由五个OTA和两个接地电容构成,合理选择输入电压可实现低通、高通、带通、带阻及全通滤波功能。文章还对电路进行了MOS管级的计算机仿真,其结果表明所提出的电路方案正确有效。 相似文献
127.
128.
Solid solutions of CsCl-Br in five different concentrations were prepared in sealed quartz tubes by heating the mixture to
1123°K for 6–8 hr and quenching to room temperature. X-ray diffractograms were taken at eight different temperatures between
room temperature and 90°K for these solid solutions using the YPC50NM powder diffractometer and a continuous flow cryostat.
The observed lattice parameters for each sample at each temperature obtained from the powder diffractograms were then extrapolated
to give the true lattice parameters using the least square method with Nelson-Riley extrapolation scheme. The values of the
true lattice parameters at each concentration and at each temperature were tabulated and the results discussed. It is shown
that the lattice parameters vs temperature for some concentrations exhibit an anomalous behaviour.
Contribution No. 691 相似文献
129.
用于频率合成器的低损耗声表面波滤波器 总被引:2,自引:2,他引:0
简述了产生声表面波滤波器插入损耗的主要机理和获得低损耗的原则;介绍了根据此原则对100~500MHz5种滤波器的研制过程和结果。实验表明,采用镜像阻抗连接换能器结构可达到3~4dB的低损耗,并成功地应用于频率合成器中。 相似文献
130.
四方向上的任意角度扇形数字滤波器的设计 总被引:3,自引:1,他引:2
具有任意角度(扇形所围成的角度)和任意方向(扇形所取方向)的扇形数字滤波器在图像数据压缩和地质、地震等方面的数据处理中有着广泛的应用。目前,大多数的工作多集中于水平及垂直方向的90°扇形数字滤波器的设计,因而有必要研究任意方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计。本文介绍利用McClellan交换法设计具有垂直,水平及±45°方向上的任意角度的扇形数字滤波器的设计方法,垂直水平方向上的扇形滤波器的设 相似文献