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191.
本文描述用于检测微振动的非对称型外差激光探针系统及实验结果。实验数据表明,系统检测灵敏度为1×10~(-4)nm/(Hz)~1/2将本系统用于检测薄膜电路在交变电热下的微振动以及表面波聚焦换能器的辐射声场分布,得到满意的结果。  相似文献   
192.
同轴双无衍射光的理论与实验   总被引:5,自引:3,他引:2  
赵斌 《光学学报》2003,23(12):460-1463
提出同轴双无衍射光的概念。如果两束汇聚角略有不同的同轴无衍射光同时存在,则它们相互之间叠加干涉后产生一种纵向呈周期变化的光场结构,这是一种新的光束空间分布,这种光束在横向仍是一种同心环光斑,可用于精密对准。而在不同纵向位置,这些同心环的强度分布是不同的,且是周期性变化的。同轴双无衍射光的轴向周期性可用于沿光束传播方向的定位。文中提出了双环缝法、分段圆锥透镜法、正弦相位环光栅法等实现同轴双无衍射光的理论与实验方法,分析了同轴双无衍射光的横向与纵向传播的衍射光斑特性,理论计算与实验测量的结果基本相符合。  相似文献   
193.
报道了应用于激光光谱学中直接测量短脉冲光峰值光功率的双通道测量系统。给出了两个通道的线性关系和频率响应曲线。实验表明此测量系统可以测量到脉宽为10ns的脉冲光峰功率1%的放大和吸收。  相似文献   
194.
Pulsed laser deposition with a Nd:YAG laser was used to grow thin films from a pre-synthesized Ti3SiC2 MAX-phase formulated ablation target on oxidized Si(1 0 0) and MgO(1 0 0) substrates. The depositions were carried out in a substrate temperature range from 300 to 900 K, and the pressure in the deposition chamber ranged from vacuum (10−5 Pa) to 0.05 Pa Argon background pressure. The properties of the films have been investigated by Rutherford backscattering spectrometry for film thickness and stoichiometric composition and X-ray diffraction for the crystallinity of the films. The silicon content of the films varied with the energy density of the laser beam. To suppress especially the silicon re-sputtering from the substrate, the energy of the incoming particles must be below a threshold of 20 eV. Therefore, the energy density of the laser beam must not be too high. At constant deposition energy density the film thickness depends strongly on the background pressure. The X-ray diffraction measurements show patterns that are typical of amorphous films, i.e. no Ti3SiC2 related reflections were found. Only a very weak TiC(2 0 0) reflection was seen, indicating the presence of a small amount of crystalline TiC.  相似文献   
195.
The ultra-short laser metal ablation is a very complex process, the complete simulation of which requires applications of complicated hydrodynamics or molecular dynamics models, which, however, are often time-consuming and difficult to apply. For many practical applications, where the laser ablation depth is the main concern, a simplified model that is easy to apply but at the same time can also provide reasonably accurate predictions of ablation depth is very desirable. Such a model has been developed and presented in this paper, which has been found to be applicable for laser pulse duration up to 10 ps based on comparisons of model predictions with experimental measurements.  相似文献   
196.
李晓平  周风晴 《激光技术》1994,18(3):138-143
混合InGaAs光电二极管阵列ETX128FPA是16384元InGaAs焦平面阵列,供1.0~1.7μm波段内的近红外成象使用。这种128×128元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把InGaAs材料结合到高级的CMOS倍增管上而制成的。  相似文献   
197.
自由电子激光振荡器的二维数值模拟   总被引:2,自引:2,他引:0  
在柱二维坐标系中,用数值计算方法求解了摇摆器内电子模拟方程组、光场方程组和无源区(不含摇摆器区)经非自适应方法变换后的无源旁轴波动方程并设计了相应的程序R_2D。用该程序计算的数值结果表明,在有源条件下二维数值模拟结果与高斯光束近似下的数值模拟结果符合较好;取完全相同的计算条件R-2D程序与洛斯阿拉莫斯实验室(LANL)的FELEX程序的计算结果符合较好;初步认为LANL实验数据的物理图象合理,数值结果基本可信;最后给出北京自由电子激光器(BFEL)的一些物理数据。  相似文献   
198.
江毅  陈伟民 《发光学报》1997,18(1):46-50
本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。  相似文献   
199.
高峰值功率重频脉冲固体激光器   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
综述了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展现状,对其中的Q开关、腔倒空、锁模等窄脉冲技术和放大技术进行了分析,展示了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展前景。  相似文献   
200.
类锂硅离子软X射线激光研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
范文慧  袁萍 《光学学报》1995,15(2):61-165
在激光等离子体典型参数条件下,利用碰撞-辐模型计算了类锂硅离子5f-3d和4f-3d跃的粒子数反转比率和激光增益系数。讨论了不同热带条件和不同冷却速度下,激光增益系统数的变化。计算结果表明,高功率,短脉冲激光生产的高温等离子体在快速冷却条件下能产生软X射的线激光增益。  相似文献   
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