微流控芯片简易安培检测器的制作及对烟酰胺片中烟酰胺的测定

搭建了微流控芯片简易安培检测器,并用于市售药品烟酰胺片中烟酰胺含量的测定。由碳纳米管微圆盘电极和钛管组成集成双电极,中间的碳纳米管微圆盘电极作为安培检测的工作电极,外套的钛管既作为安培检测的对极,又充当分离高压电源的地极,使其结构更加简化和微型化。优化了缓冲溶液种类、浓度,分离电压及进样时间等实验条件。结果表明,在10 mmol·L-1磷酸盐缓冲液(pH 7.8)中,进样10 s,在2.0kV电压下分离,烟酰胺在2 min内可实现较好的分离和检测,其线性范围为10~600μmol·L-1,检出限(S/N=3)为5.0μmol·L-1,相对标准偏差(RSD)为3.0%,平均加标回收率为99.1%。该装置实现了微型化和集成化,并具有检测灵敏度较高、选择性好、成本低等特点,可用于药品的质量控制。     

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

NBTI效应及其对集成电路设计的影响

可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时间变化趋势的最新研究成果.最后介绍了SPICE考虑器件器件退化的电路模拟流程.在器件尺寸日益缩小的今天,这些将成为集成电路设计关注的焦点.     

固相萃取-离子色谱-积分脉冲安培法测定人血清中游离氨基酸

比较了磺基水杨酸和无水甲醇沉淀人血清中蛋白质的效果,优化了国产732型阳离子交换树脂进行固相萃取净化的条件和Dionex-600离子色谱分析系统的梯度淋洗条件。用该离子色谱仪检测了谷氨酰胺等14种氨基酸,结果表明,峰面积-浓度的校正曲线的相关系数为0.9900~0.9995,检出限为0.02~0.59mg/L;峰面积的相对标准偏差为1.9%~10.4%;回收率为80.6%~114.8%。     

移动式电子系统总体设计与电气布局

介绍了电子设备方舱基本总体设计流程及其相关的基本原则．论述了电气总体设计与电源选择、电磁兼容以及电缆布线设计、布线施工一致性的关系．提出了电子设备方舱总体设计的基本方法,并举例说明通过电缆布线设计解决电磁兼容问题的方法．     

用于光电集成的InP基HBT新结构

对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点.     

EAM-DFB集成光源典型参数特性的电路级分析

针对电吸收型调制器和分布反馈激光器集成光源(EAM-DFB)的光电混合特征,建立了包含自发辐射、俄歇复合、寄生效应以及隔离电阻的等效电路模型。分析了在不同驱动电流和自发辐射因子下,该模块的输出、调制及噪声特性,并与直接调制DFB作了对比。结果表明,EAM-DFB可生成超短脉冲(小于25 ps);随着驱动电流的增加,输出功率增大、脉冲展宽,噪声增强且峰值点向高频移动;减小自发辐射因子和增加驱动电流均使其调制带宽增加;与DFB相比,EAM-DFB增加了少量噪声,但具有更陡峭的功率-电流特性和更大的调制带宽。     

结合地物分类的湿地蒸散量定量遥感集成模型

湿地蒸散发量是湿地水量支出的重要组成部分。利用遥感技术可以合理有效地计算出地形复杂的湿地的蒸散发量。将遥感图像分类技术与定量遥感蒸散发模型结合起来,考虑各类地物不同的蒸散发源和水热传输机制,建立了集成模型,分析和计算了湿地主要地物的蒸散发量。通过对各地物类的样区平均蒸散发量与实测数据进行比较,证明结合地物分类的湿地蒸散发量计算集成模型能够取得很好的结果。     

基于THz-TDR的芯片金属微带线缺陷检测

针对体积小、走线密集、集成度高的封装芯片缺陷检测,目前的主要检测手段存在精度低、周期长等缺点。为弥补传统检测方法的不足,作者结合太赫兹技术与时域反射技术,探究对芯片上金属导线缺陷检测的可行性。首先在不同宽度的金属微带线上加工了不同比例的凸起、凹槽缺陷,模拟集成芯片中金属导线的不完全开/短路等阻抗不匹配情况,利用太赫兹时域反射计采集其时域反射信号。然后根据时域反射脉冲对应的时间分别对不同缺陷程度、不同缺陷类型进行定性分析,并精确计算出了芯片上金属微带线的缺陷位置。最后利用有限元分析法对硅基底上存在缺陷的金属微带线进行仿真分析,与实验结果具有良好的一致性。该研究表明,太赫兹技术与时域反射技术结合能够实现对芯片上金属导线缺陷的诊断检测,为集成芯片的缺陷检测提供了经验参考。     

基于单通道反射型电光调制器实现不同路光同时调制的方法

提出了一种利用单通道反射型聚合物电光调制器同时调制不同路光的方法。衰减全反射结构的电光调制器,其每一个衰减全反射(ATR)峰的位置分别对应于一个导波共振模式。实验系统中利用衰减全反射导膜峰作为调制通道,使其每一路光路的入射角分别对应于不同导波共振模式的工作角,就可以实现利用单通道的电光调制器同时调制不同路光。提出了三种实现两路光同时调制的模式,并给出了三种模式的调制结果。结果表明,作为调制通道的导模阶数越低,调制效率越高。在832 nm光波波长下,采用最低阶导模进行调制时可以获得42.9%的调制效率。