硒化镉发光量子点的制备及其在有机发光器件中的应用

硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究。本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe／ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,避免分子团聚现象。在由硒化镉成核温度的控制,成功地制备一系列具有各种尺寸粒径的核壳型硒化镉量子点(2—6nm)。本研究也合成了含有纳米金粒子于核壳型硒化镉量子点,实验结果发现：硒化镉发光效率明显的提高。在有机发光器件的应用方面,将发光波长为505nm核壳型CdSe／ZnS量子点掺入溶有发光波长为570nm铱化合物的氯仿溶液时,其溶液的光致发光光谱表明,原量子点的发光特性消失,只有铱化合物的发光依然存在,且其发光强度呈现明显增强趋势,我们推测此现象源自于量子点到铱化合物能量转移的机制。我们也以含有核壳型硒化镉量子点的铱化合物与PVK混合材料为发光层,成功的制作发光二极管器件,器件的发光效率因核壳型硒化镉的掺杂,明显提高2倍多。     

光锥与CCD耦合器件调制传递函数的测试方法

采用直接对倾斜刀口成像的方法测量光锥与CCD耦合器件的调制传递函数.这种方法对静止刀口成像,利用刀口与光锥纤维列间的一定倾斜角度,在垂直于刀口的不同行之间形成不同的值,代替了传统刀口扫描中的扫描装置,并无需保证刀口与阵列的平行,相应地减小了测量误差. 在数据处理中采用了二次平均法,即对同一幅图像得出的不同位置值进行平均及多次测量结果平均,在一定程度上消除了由于离散性产生的空间非平移不变性的影响.     

半导体器件鉴定试验技术的研究 --从纠正一项错误鉴定结论谈起

阐述了半导体器件鉴定试验结果正确的重要性和研究试验技术的迫切性.对保证振动试验正确的重要因素棗振动模具的正确设计进行了分析和研究,通过研究指出了必须注意的关键问题及应采取的措施.     

点配法的改进

针对点配法求解精度低的问题,提出了一种改进方法,改进的点配法有较高的精度,使用该方法可以计算天线电流的导数分布。改进的点配法能以较高的精度求解第一、第二、第三类Fredholm积分方程。修正中波天线模型,按照模型可以精确求解天线输入阻抗。     

基于宽带输入阻抗模型的有源集成天线设计

提出了利用微带天线的宽带输入阻抗模型进行有源集成天线的设计方法以预测有源集成天线(AIA)的辐射特性和谐波特性.谐波平衡法被用于得到AIA的谐波特性和阻抗模型的端口电压.然后端口电压作为激励源计算天线特性.实验结果显示该方法可以简单有效进行有源集成天线设计.     

WDM驱动程序和上层应用程序之间建立通信方法讨论

介绍了在Windows操作系统下,使用WDM(Windows Driver Model)模型进行编程的设备驱动程序和上层应用程序之间相互通信的几种方法,并详细讨论了它们的优缺点及适用范围.     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电．电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散．     

RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构

采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑.变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能,室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm2/(V·s)和1.429×1013cm-2,二者的乘积为1.8×1016V-1·s-1.用此材料研制的器件,直流特性得到了提高,最大漏极输出电流为1.0A/mm,非本征跨导为218mS/mm.结果表明,提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN/GaN HEMT结构材料的电学性能和器件性能.     

Ru(bpy)32+聚电解质光致发光电致发光性质

以Ru(bpy)3^2 作为发光材料研制聚合物电致发光器件,分别以水溶性聚乙烯基氯化铵(PAA)和聚苯乙烯基磺酸钠(PSSTS)作为母体材料,研究了聚阴阳离子对器件性质的影响。通过对器件结构、母体浓度、掺杂浓度进行优选,得到结构为ITO／PVK／Ru：PAA/LiF／Al的器件。这一器件开启电压为3．5V,效率为1．1lm/W。     

超高速发射实验模型的数值计算

 采用三阶精度PPM（Parabolic Piecewise Method）方法和VOF（Volume of Fluid）相结合,运用Lagrange-Remapping算法,编制了多介质流体高精度欧拉计算程序MFPPM,可以对多介质复杂流场进行数值计算。对程序计算精度进行了测试,并应用于超高速发射实验模型数值计算,对Sandia实验室不带会聚作用的实验模型进行了一维计算以及带会聚作用的实验模型进行二维计算并与其实验结果和CTH计算结果进行对比,其中一维计算最大相对误差1%,二维计算相对误差4.7%,在此基础上对超高速发射设计模型进行了初步计算。