电信级Linux设备中驱动程序的研究与开发

Linux系统以其开放源代码、健壮性和高效性等优良特性,逐步被电信制造商和电信运营商所接受.本文从实际研究开发经验出发,指出当前影响电信级Linux设备稳定性和可靠性的主要因素是驱动程序的开发;然后从Linux系统相关的部分出发,进行了驱动程序开发具体规则的讨论;接着从代码编制的角度出发进行了驱动程序编程细节的讨论.     

聚合物发光器件的旋涂膜厚模型研究

聚合物膜厚的控制对于优化聚合物发光器件的光电性能是至关重要的.应用最小二乘法,通过对中心复合设计实验数据的拟合,建立了旋涂法制备聚合物薄膜的膜厚回归模型.测试结果表明:利用该模型所得到的预测膜厚与旋涂的实测膜厚基本相符.膜厚模型的建立,对于旋涂工艺中旋涂条件的选择、薄膜厚度的控制以及器件性能的优化具有一定的实用价值.     

量子器件与量子信息技术

从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景.     

数字合成全息系统中空间光调制器DMD的研究

研究了数字合成全息系统(DSHS)中数字微反射器(DMD)的光学反射衍射混合的性质,解释了入射光入射角度任意性而不必拘泥于20°的原因,对DMD反射衍射混合成像的特性从其微结构角度进行了分析,特别注意了微反射镜的镜轴方向对图像成像区域和图像灰度的影响。针对DMD的性质设计了实验并得出了结果,用DMD作空间光调制器(SLM)实现了DSHS的设计。     

构造嵌入式Linux系统

文中首先介绍了嵌入式Linux系统的优点及其广泛应用.然后针对构造一个Linux嵌入式操作系统所面临的问题作了具体深入的分析.这些问题具体包括如何精简内核以及系统启动过程的细致分析,如何为硬件编写驱动程序.     

Modulation instability of dispersion-shifted fiber couplers

The nonlinear coupled-mode equations are rewritten by even and odd modes. We study modulation instability (MI) of dispersion-shifted fiber couplers when either even or odd mode is launched alone by using zero-dispersion waveleng threlatively long (quasi-cw) pulses. The result shows that there are new types of MI in both the normal-dispersion and the anomalous-dispersion regimes. MI is concerned with forth-order dispersion and has no relation with third-order dispersion.Quasi-cw can be changed into pulses array under certain conditions. We can extract super short pulse from this. Furthermore,the bandwidth of gain spectra widens and its strength accretes as the input power increases.     

非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型. 通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式. 该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到. 结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数. 对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.     

单次可编程金属-分子-金属器件

提出了一种单次可编程的金属-分子-金属器件. 该器件利用一种经过改良的Rotaxane LB膜作为功能层,可以和应用于场编程门阵列电路中的无机反熔丝器件相比拟,将在有机可编程电路和容错电路等方面有较广泛的应用. 所有的加工工艺都是低温工艺,使得该器件可以和其他有机器件集成. 电学测试表明该器件有良好的单次编程能力,其击穿电压为2.2V,关态电阻为15kΩ,而开态电阻为54Ω. 据分析,这一特性是由非对称的电极结构和金属原子在高电场作用下穿透了分子薄膜所造成的.     

基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.     

Modeling of LWIR HgCdTe Auger-Suppressed Infrared Photodiodes under Nonequilibrium Operation

The general approach and effects of nonequilibrium operation of Auger-suppressed HgCdTe infrared photodiodes are well understood. However, the complex relationships of carrier generation and dependencies on nonuniform carrier profiles in the device prevent the development of simplistic analytical device models with acceptable accuracy. In this work, finite element methods are used to obtain self-consistent steady-state solutions of Poisson’s equation and the carrier continuity equations. Experimental current–voltage characteristics between 120 K and 300 K of HgCdTe Auger-suppressed photodiodes with cutoff wavelength of λ _c = 10 μm at 120 K are fitted using our numerical model. Based on this fitting, we study the lifetime in the absorber region, extract the current mechanisms limiting the dark current in these photodiodes, and discuss design and fabrication considerations in order to optimize future HgCdTe Auger-suppressed photodiodes.