有源介观RLC电路的量子波函数及其双波描述

用表象变换的方法求得了介观RLC电路的量子波函数，并由此求得了电荷和电流的量子涨落，同时又用双波函数方法研究了有源介观电路的量子效应。通过两种方法的比较可知，电路的量子涨落与所处的状态密切相关，这一点由双波函数方法清楚可见。用双波函数求得的电荷和电流的系综平均值正是用波函数求得的电荷和电流的期望值。     

红外探测器组网预警技术研究

通过对红外探测器组网的可行性进行分析和对其优化配置,数据接入与融合以及预警系统评估技术进行研究,为发展预警探测系统的集成实验提供了技术支撑,并为提升我国红外探测器组网技术水平提出了一些新的思路.     

中波红外火情遥感的大气辐射传输特性

分析2005年在广西武鸣机场进行的人工火情测量试验中获得的由BOMEM MR-154FT高光谱仪测定的火情光谱特征发现:在中波4.34～4.76μm光谱段的辐亮度比火情遥感监测常用通道3.5～4.0μm有更强的响应关系.用模拟计算方法进一步分析了中波红外光谱的大气辐射特性.分别对中波波段主要的吸收气体(水汽、水汽连续、二氧化碳混合、二氧化碳、一氧化二氮、臭氧和气溶胶)影响辐射传输的情况进行模拟计算;选择中国内陆地区18种大气廓线样本和4种大气模型,分别进行辐射传输计算,获得了3～5μm谱段分谱大气透过率和大气程辐射等,并比较了新选择通道(4.42～4.78μm)与传统通道(3.55～3.95μm)在地面和传输到大气层顸后辐亮度的变化情况,为今后应用新探测通道奠定了基础.     

Multi-heterojunction large area HgCdTe long wavelength infrared photovoltaic detector for operation at near room temperatures

This paper describes a new multi-heterojunction n ⁺pp photovoltaic infrared photodetector. The device has been developed specifically for operation at temperatures of 200–300K in the long wavelength (8–14 μm) range of the infrared spectrum. The new structure solves the perennial problems of poor quantum efficiency and low dynamic resistance found in conventional long wavelength infrared photovoltaic detectors when operated near room temperature. Computer simulations show that devices with properly optimized multiple heterojunctions are capable of achieving the performance limits imposed by the statistical nature of thermal generation-recombination processes. In order to demonstrate the technology, multiple heterojunction devices have been fabricated on epilayers grown by isothermal vapor phase epitaxy of HgCdTe and in situ As p-type doping. The detector structures were formed using a combination of conventional dry etching, angled ion milling, and angled thermal evaporation for contact metal deposition. These multi-junction n ⁺pp HgCdTe heterostructure devices exhibit performances which make them useful for many applications. D* of optically immersed multiple heterostructure photovoltaic detectors exceeding 10⁸cmHz^1/2/W were measured at λ=10.6 μm and T=300K.     

多路高压放大器输出直流电压监测与显示系统设计

在自适应光学系统中,自适应控制器AD输出控制信号需要通过高压放大器放大成高压电驱动压电陶瓷变形镜,从而实现波前实时校正.在实际系统中,往往需要对高压放大器输出电压进行实时监测.本系统采用小体积单片机C8051F310作为控制器,采用专用电表芯片CS5460A作为核心测量芯片,实现了单板对20路0～500 V直流电压的实时监测与显示,线性度优于0.2％.     

Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征

碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_0.9Mn_0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10¹⁰ Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^-3 cm²/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。     

微腔与腔量子电动力学研究进展

光学微腔中原子之自发辐射与自由空间中原子的自发辐射有着重要的不同。微腔能够控制腔内原子的自发辐射，使自发辐射得到抑制或增强，并有可能使自发辐射成为一个可逆过程。由此发展起来的腔量子电动力学能够阐述腔场与原子的相互作用。本文简要介绍了这一研究领域的背景和进展，同时介绍了微腔的重要应用一无阈值激光器。     

非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式，然后以典型的非对称量子阱GaAs／AIGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明，入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响，从而为实验研究提供理论依据。     

基于二代Curvelet变换的红外与可见光图像融合

针对红外与可见光成像传感器的物理特性,提出了一种基于二代Curvelet变换的图像融合算法.首先对原始图像分别进行快速离散Curvelet变换,得到不同尺度与方向下的子带系数.对低频子带系数,根据红外图像的目标特性与可见光图像的细节信息确定其融合权值;对不同尺度与方向下的高频子带系数,采用基于局部区域能量匹配的融合规则.最后经Curvelet逆变换得到融合结果.实验结果表明,该算法可以有效地综合可见光与红外图像中的重要信息,其融合结果较典型的基于塔式分解与基于小波变换的图像融合算法,在主观视觉效果与客观评价指标上均有所改善.     

一维光子晶体的全向反射特性

利用传输矩阵方法研究了一维光子晶体的全向反射特性.研究表明,光子晶体的结构参数对全向反射带的产生影响很大.要提高光子晶体的全向反射带带宽,必须增大两种介质的折射率及它们的高低折射率比值,同时使低高折射率层的光学厚度比接近0.85.研究结果对全介质反射器的设计具有指导意义.