不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。     

DRM硬件接收机的设计与实现

简单分析了测试接收机的整雄硬件结构特点和信号解调流程,重点研究了接收机中的同步,MSC解复接及接收机软件控制模块的硬件实现和验证方法,并总结了利用DRM软件接收和发射系统调试整个测试接收机的方法和步骤．最后绐出了硬件测试接收机解调DRM信号的结果。     

不断发展中的IGBT技术概述

概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近（下层）结构的改进（透明集电区）,耐压层附近（中层）结构的改进（NPT,FS／SPT等）和近表层（上层）结构的改进（沟槽栅结构,注入增强结构等）,以及由它们组合成的NPT—IGBT,Trench IGBT,Trenchstop—IGBT,SPT,SPT＋,IEGT,HiGT,CSTBT等。     

高k栅介质的可靠性问题

随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的.综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨.     

大功率金属陶瓷四极管的负阻振荡

文章对四极管的二次电子放射进行了阐释,分析了产生负阻振荡的机理,并结合DF-100A PSM短波广播发射机发生的负阻振荡故障实例,阐述了负阻振荡的危害及防止负阻振荡的方法。     

530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管

报道了530~650MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率,全离子注入自对准工艺等技术,在上述频带内,连续波,28V工作电压下,静态电流50mA,该器件输出功率达20W,效率达49%,增益大于7.5dB。     

激光欺骗干扰信号级仿真研究

分析了激光欺骗干扰技术原理,以激光指示信号模拟器、激光导引头解码模拟器和激光欺骗干扰处理器组成激光欺骗干扰信号级仿真平台;设计的导引头解码模拟器具有波门内多脉冲鉴别能力,这一功能具有一定的前瞻性;研制的激光欺骗干扰处理器具有输出同步式脉冲组干扰信号的能力,增加了导引头解码的难度,提高了激光欺骗干扰成功率;通过信号级仿真...     

Preparation of conductive HfN by post rapid thermal annealing-assisted MOCVD and its application to metal gate electrode

Conductive hafnium nitride (HfN) with negligible carbon impurity (<0.1 at.%) was chemically synthesized for the first time by post-rapid thermal annealing (PRTA)-assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The thermodynamic instability of N-rich hafnium nitride (Hf₃N₄) phase, which is considered to be the dominant phase in CVD deposition of hafnium nitride, was utilized for pure and metallic HfN synthesis. By integrating the PRTA-HfN film into MOS capacitor, the electrical properties of the PRTA-HfN film as metal gate electrode were studied. Well behaved electrical characteristics such as about 4.9 eV of effective work function, low leakage current and large reduction in SiO₂ equivalent oxide thickness (EOT), which was attributed to the combination of physical thinning of SiO₂ and formation of high-κ interfacial layer, suggest the potential capability of PRTA-assisted MOCVD in chemically synthesizing HfN metal gate electrode for pMOS devices application.     

基于System Generator的干扰模块设计

快速实现干扰算法和产生干扰信号是干扰机设计过程中重要的工程问题.基于此提出了基于System Gener-ator的干扰模块设计方法.通过Simulink和System generator搭建干扰算法电路,设计常用干扰样式,在现场可编程门阵列(FPGA)中直接生成电路设计.本设计方法可以快速生成干扰样式的电路,具有易复...     

线性最近邻量子电路状态分析及最优逻辑综合

综合量子电路时必须考虑量子电路实现时的约束与限制.某些量子技术中只允许物理上相邻的量子比特有相互作用,实现时必须采用线性最近邻架构.通常通过添加交换门使任意一个量子门的控制位与目标位相近邻,并保证电路的功能不受影响.在分析电路中量子比特状态的基础上,提出了一种新的线性最近邻量子电路构造方法.结果表明:对于所有40320个三比特量子电路,提出方案比已有方案的量子代价优化了约30％.