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41.
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。 相似文献
42.
Bernard Lavielle Bertrand Thomas Eric Gilabert Gregory Canchel Denis Horlait Sylvain Topin Fabien Pointurier Christophe Moulin 《Journal of mass spectrometry : JMS》2016,51(10):908-913
A double focusing sector field mass filter used in Nier–Johnson geometry has been built in order to perform Kr isotope enrichment for 81Kr and 85Kr isotopes. The principle consists in implanting Kr+ ions accelerated at 7 keV in Al foils after separation using the magnetic sector. A specific ion source has been designed capable of generating high Kr+ ion beams (>0.5 μA) to transfer into the collecting Al foils in 3 to 5 h significant fractions of large Kr samples (1015 to 1016 atoms) initially introduced in the instrument. Implanted Kr isotopes can be further selectively released from the Al foil by surface ablation using an infrared laser beam. Implantation yields and enrichment factors are measured using a conventional mass spectrometer. Copyright © 2016 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
43.
Application of a synchrotron microprobe to the analytical characterization of ion-implanted material
A von Bohlen R. Klockenk mper S. Garbe G. Gaul A. Kn chel F. Lechtenberg L. Palmetshofer 《Spectrochimica Acta Part B: Atomic Spectroscopy》1995,50(14):1769-1777
A synchrotron microprobe has been used to characterize ion implantations of nickel and cobalt in silicon (100) or (111) wafers. The synchrotron radiation is collimated by means of a rigid cylindrical glass capillary of 110 mm length, 5 mm outer and 30 μm or 10 μm inner diameter. The beam is pointed at the wafer sample and the emitted radiation of X-rays is detected by an energy dispersive spectrometer. Line scans are recorded step by step over the implantation areas and across their borders. The sharpness of the borders is characterized at a lateral resolution of 13 μm and the edge lengths ranging from 0.6 to 8 mm are determined with an accuracy better than ± 20 μm. The signal intensity and implantation dose of cobalt ranging from 1 × 1015 to 1 × 1017 ions cm−2 show a linear relationship as is to be expected for the micrometre thin implanted layers. 相似文献
44.
45.
46.
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层. 相似文献
47.
48.
Pn junctions based on single crystalline tellurium supersaturated silicon were formed by ion implantation followed by pulsed laser melting(PLM).P type silicon wafers were implanted with 245 keV 126Te+ to a dose of 2×1015 ions/cm2,after a PLM process(248 nm,laser fluence of 0.30 and 0.35 J/cm2,1-5 pulses,duration 30 ns),an n+ type single crystalline tellurium supersaturated silicon layer with high carrier density(highest concentration 4.10×1019 cm-3,three orders of magnitude larger than the solid solution limit) was formed,it shows high broadband optical absorption from 400 to 2500 nm.Current-voltage measurements were performed on these diodes under dark and one standard sun(AM 1.5),and good rectification characteristics were observed.For present results,the samples with 4-5 pulses PLM are best. 相似文献
49.
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退火条件。对于采用920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)的~(11)B离子注入样品,经不同时间卤钨灯辐照退火后,测量了注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规炉退火作了比较。结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小以及快速、实用等优点。 相似文献
50.