空间多能电子辐照聚合物充电过程的稳态特性

空间同步轨道上多能电子辐照聚合物的充电过程及其稳态特性是研究和抑制通信卫星静电放电的基础.在同步电子散射-输运微观模型的基础上,采用具有10—400 keV积分能谱分布的多能电子辐照聚酰亚胺样品,进行了多能电子辐照聚酰亚胺充电过程的数值模拟,获得了空间电荷密度、空间电位、空间电场分布和聚合物样品参数条件下的表面电位和最大场强.结果表明,多能电子与样品发生散射作用并沉积在样品内形成具有高密度的电荷区域分布,同时在迁移和扩散的作用下输运至样品底部形成样品电流;充电达到稳态、电子迁移率较小时(小于10-10cm2·V-1·s-1),表面电位绝对值和充电强度随电子迁移率的降低明显加强,捕获密度较大时(大于1014cm-3),表面电位绝对值和充电强度随捕获密度的增大明显加强;聚合物样品厚度对表面电位和充电强度的影响大于电子迁移率、捕获密度和相对介电常数的影响.研究结果对于揭示空间多能电子辐照聚合物的充电现象及微观机理、提高航天器故障机理研究水平具有重要科学意义和价值.     

Ag纳米粒子聚集体的SiO2包覆及其SERS效应

为实现表面增强拉曼散射（SERS）信号的快速检测分析,报道了一种简单的利用SiO₂包覆对巯基苯甲酸（4MBA）修饰的Ag纳米粒子形成核壳结构纳米颗粒SERS标记物的方法。通过调控溶液中硝酸钠的浓度来控制4MBA-Ag的聚集程度,获得不同的“热点”效应,然后利用SiO₂包覆实现对聚集体的固定。扫描电镜结果证实此种方法非常有效。该体系中SERS的信号强度依赖于4MBA-Ag的聚集程度。该研究结果有助于实现聚集体SERS标记物在生物成像、检测和传感等方面的应用。     

水溶液银纳米晶聚集对表面增强拉曼散射的影响

由于贵金属纳米粒子独特的光学性质,基于衬底的贵金属纳米粒子薄膜表面增强拉曼散射技术在分子生物学和医学免疫分析等研究领域中显现出非常好的应用优势和潜力。本项研究工作应用柠檬酸纳作聚集剂诱导水溶液中对巯基苯甲酸修饰的Ag纳米粒子聚集,并应用以此形成的"热点"增强SERS光谱,获得了对巯基苯甲酸修饰的Ag纳米粒子聚集非常有效的4-MBA分子的SERS信号,为未来建立生物待测物的分析检测奠定前期基础。结果证明,水溶液中的Ag纳米粒子的聚集形成的"热点"具有非常好的SERS光谱增强效应。     

殷瓦薄板高速激光焊接的热裂纹敏感性

以2.2 m/min激光扫描速度,采用对接和搭接两种方式高速焊接0.7 mm薄板殷瓦合金。借助金相显微镜和扫描电子显微镜观察焊缝显微组织,讨论焊缝中心的热裂纹形成机理,对比分析不同接头形式的热裂纹敏感性。实验结果显示,殷瓦合金的高速激光焊缝为铸态单相奥氏体树枝晶。对接焊缝中心出现热裂纹,而搭接焊缝未发现热裂纹。分析认为,在树枝晶凝固最后阶段,焊缝两侧树枝晶粒的大角度晶界能γgb大于2倍液态薄膜固/液界面能sγl,液态薄膜完全桥接需要临界过冷度ΔTb。殷瓦合金散热系数低,过冷度不足,焊接残余拉伸应力rδ将导致液态薄膜开裂。对接时容易出现热裂纹。而搭接时开裂的液态薄膜有上层液态金属流入补充,能有效降低焊缝的热裂纹敏感性。     

移动互联网发展技术与安全分析

从移动互联网的定义、目标、基础协议等方面对移动互联网进行了概述,对其发展方向和趋势进行了探讨,对移动互联网的3种热点技术进行了介绍,最后对移动互联网的安全框架、安全机制进行了分析,并对其安全问题进行了展望。     

初始织构对高温轧制AZ31镁合金板显微组织与织构影响的EBSD研究

本文采用EBSD方法表征分析了不同初始取向的AZ31镁合金原料板材经300℃热轧69%后得到的终轧产品的显微组织与织构差异,考察了热轧变形条件下原料的初始织构对热轧成品板材的影响。结果表明,原料的初始织构对终轧板材的显微组织与织构影响不大,但对材料的显微组织界面分布有一定影响。通过高温大变形量变形,不同初始织构的原料均可制得平均晶粒度小于5μm的AZ31镁合金板材。     

基于日志的数据热备份的实现

对于业务不能中断的系统来说,热备份是保证数据可靠性的有效方式.但是传统的热备份系统,备份文件较大,不利于进行网络传输,为此实现了一个增量热备份系统.当某个数据块发生变化时,将文件修改点的位置信息和修改的内容记录到一个备份文件中,然后将备份文件通过网络传递到其他地方.当需要恢复数据时,以一次冷备份的结果为基础,按照备份的先后顺序逐条恢复备份数据.使用这种方法,可以在不停止工作流程的情况下,实现数据文件的异地备份.     

结冰环境热合成双射流激励器工作特性数值研究

为研究结冰环境中热合成双射流激励器工作特性,采用离散相模型(discrete phase model,DPM),结合动网格方法,数值研究了结冰环境中来流速度、液滴含量、液滴直径对激励器工作特性的影响.结果表明,来流速度较小时,双射流激励器出口形成热合成射流融合区,由于热射流的加热作用,温度较高,环境中的过冷液滴难以进入...     

Kink effect in current-voltage characteristics of a GaN-based high electron mobility transistor with an AIGaN back barrier

The kink effect in current-voltage （IV） characteristic s seriously deteriorates the performance of a GaN-based HEMT. Based on a series of direct current （DC） IV measurements in a GaN-based HEMT with an AlGaN back barrier, a possible mechanism with electron-trapping and detrapping processes is proposed. Kink-related deep levels are activated by a high drain source voltage （Vds） and located in a GaN channel layer. Both electron trapping and detrapping processes are accomplished with the help of hot electrons from the channel by impact ionization. Moreover, the mechanism is verified by two other DC IV measurements and a model with an expression of the kink current.     

防护热板装置的研究进展及其在液氮温区的应用前景

随着新型绝热材料的研究及应用,防护热板装置已广泛用于测量各个领域绝热材料的导热系数,从航天到化工、从能源到建筑,防护热板装置都发挥着重要的作用.总结了防护热板装置国内外的最新研究进展;探讨了在低温液体贮存和运输领域,防护热板装置测量的技术问题及应用前景.