圆铜线热镀锡生产工艺的探讨

镀锡圆铜线具有多种优良特性,且其生产工艺属于物理加工,具有设备投入低、效率高、操作简单等优点,在电线电缆行业中得到了广泛的应用和发展。圆铜线热镀锡工艺虽然简单,但工序流程较多,如放线、酸洗、水洗、干燥、预热烘干、助焊剂、镀锡、冷却、收线,其中的每个环节控制不当,都可影响到产品的最终质量。随着圆铜线直径的逐渐增大,热镀锡工艺的控制难度也不断加大,直径为0．80～2．54mm圆铜线热镀锡工艺的生产实践表明,只有严格控制每个工序流程,不断分析总结及采取改进措施,才可获得优良的产品质量。     

增强型喷射器对爆轰波DDT过程的影响

在激波、火焰及射流同时存在的流场中,组织燃烧转爆轰过程是脉冲爆震发动机实现点火、起爆的关键问题。设计一类喷射器,采用C_2H_2/O_2/Ar反应,数值验证了该喷射器能增强爆震室燃料燃烧转爆轰的可行性,并讨论了流场中热点的点火机制。结果显示:该装置在流场中可激发不稳定性,产生漩涡,加速能量、质量的交换。流场产生热点,促进火焰速度加快,追赶前导激波。喷射器位置影响前导激波的运动速度。在一定范围内,前导激波速度越大,碰撞产生的热点越容易激发燃烧转爆轰过程。     

房间采暖技术与变频调速综述

本文对房间采暖技术的发展状况、技术原理、构造特点进行了归纳总结,重点分析了地板供暖的优缺点,指出了地板供暖技术在房间采暖设计中的应用前景。针对低温地板热水辐射供暖系统存在的一些工程问题,通过对水泵的控制算法的研究和探讨,提出了地板水供暖系统采用以uPD78F1213为核心的无传感器永磁同步电机矢量控制系统的方案。     

Two-dimensional threshold voltage analytical modes of DMG strained-silicon-on-insulator MOSFETs

For the first time, a simple and accurate two-dimensional analytical model for the surface potential variation along the channel in fully depleted dual-material gate strained-Si-on-insulator (DMG SSOI) MOSFETs is developed. We investigate the improved short channel effect (SCE), hot carrier effect (HCE), drain-induced barrier-lowering (DIBL) and carrier transport efficiency for the novel structure MOSFET. The analytical model takes into account the effects of different metal gate lengths, work functions, the drain bias and Ge mole fraction in the relaxed SiGe buffer. The surface potential in the channel region exhibits a step potential, which can suppress SCE, HCE and DIBL. Also, strained-Si and SOI structure can improve the carrier transport efficiency, with strained-Si being particularly effective. Further,the threshold voltage model correctly predicts a "rollup" in threshold voltage with decreasing channel length ratios or Ge mole fraction in the relaxed SiGe buffer. The validity of the two-dimensional analytical model is verified using numerical simulations.     

微纳级双极晶体管的热耗散研究

对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。     

低温卷取钢坯头部和尾部跟踪智能控制技术的研究

随着现代热连轧生产工艺的不断提高,对热轧卷取机的控制系统也提出了更高要求。基于改进卷取带钢低温跟踪检测技术和减小咬钢时的头部打滑的目的,采用了智能控制方案能够动态调整控制器参数的方法,通过MAT-LAB/SIMULINK系统仿真的试验,实现了带钢在200~300℃可以正常卷取,批量生产出热轧双相钢。     

Dynamics of charge transfer at Au/Si metal-semiconductor nano-interface

An ab initio analysis of the periodic array of Au/Si nanostructure composed of gold clusters linked to silicon quantum dot (QD) co-doped by aluminium and phosphorus along [111] direction is presented in this paper. The density functional theory (DFT) is used to compute the electronic structure of the simulated system. Non-adiabatic coupling implemented in the form of dissipative equation of motion for reduced density matrix is used to study the phonon-induced relaxation in the simulated system. The density of states clearly shows that the formation of Au–Si bonds contributes states to the band gap of the model. Dynamics of selected photo-excitations shows that hole relaxation in energy and in space is much faster than electron relaxation, which is due to the higher density of states of the valence band.     

高斯光束非线性“热像”效应研究

高功率激光系统中非线性“热像”强度可能达到光学元件损伤阀值，从而对系统的安全运行造成威胁.以往的非线性“热像”现象研究都是基于无限大平面光波背景，但实际系统中传输的是有限束宽光束.本文以高斯光束为例，基于无像差自聚焦理论分析了有限束宽光束的“热像”形成规律.结果表明，高斯光束“热像”的强度与位置在光束腰斑较小时与平面光波情况有明显不同，但光束腰斑较衍射物大得多时，高斯光束可以近似当作平面光波处理.     

水雾红外隐身的冷/热目标效应

人工水雾对抗红外成像制导导弹时,会因为蒸发对流强、辐射热流弱而使水雾形成冷目标;也可能因为辐射热流过强、散热弱而形成热目标。为详细揭示该现象,以Mie理论为基础,通过辐射传递方程和能量守恒方程的耦合计算,建立了水雾红外隐身产生冷目标或热目标效应的数学模型。应用蒙特卡洛法与本文算法作对比,验证了模型的正确性;将水雾视为吸收、发射、各向异性散射介质,考虑水雾自身辐射、多重散射和各种换热过程,比如辐射热流、两相流的热传导、热对流、紊流热扩散以及雾滴蒸发等,反映了水雾热遮蔽所产生的冷/热目标效应。     

基于热备份的主备倒换在高端路由器中的应用

从高端路由器的可靠性出发，提出提高可靠性、减少故障持续时间的关键在于减少路由器主备倒换时间。文中通过对传统的主备倒换与热备份下的主备倒换进行比较，分析了热备份下的主备倒换在节省业务板和路由板的重启时间、业务板恢复配置时间、路由板路由学习聚合时间等方面的优势。同时详细介绍了基于热备份的主备倒换在高端路由器中的主要实现步骤，并对其技术特点和给用户提供的解决方案进行了阐述。