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11.
文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM(Windows Driver Model)设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号.通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明:在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪,证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题,为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。 相似文献
12.
13.
介绍温度采集仪调理电路的结构及工作原理,简单介绍在系统可编程模拟器件ispPAC10的基本结构,并借助于PAC Designer软件详细描述ispPAC10实现温度采集仪数据放大器具体方法和步骤。与传统的模拟电路设计方法相比,运用isp技术实现的温度采集仪调理电路具有简洁可靠、开发周期短等特点。 相似文献
14.
发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。 相似文献
15.
大功率CO2激光器脉冲电源研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了直流高压与高频脉冲电源相叠加,构成高频、高压脉冲电源,并使其对CO2激光器进行放电实验,研究了同条件下的放电参数与功率。 相似文献
16.
K. P. Lee S. J. Pearton M. E. Overberg C. R. Abernathy R. G. Wilson S. N. G. Chu N. Theodoropolou A. F. Hebard J. M. Zavada 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):411-415
In p-GaN implanted with Mn (3×1016 cm−2 at 250 keV), the material after annealing shows ferromagnetic properties below 250 K. Cross-sectional transmission electron
microscopy (TEM) revealed the presence of platelet structures with hexagonal symmetry. These regions are most likely GaxMn1−xN, which produce the ferromagnetic contribution to the magnetization. In p-GaN implanted with Fe, the material after annealing
showed ferromagnetic properties at temperatures that were dependent on the Fe dose, but were below 200 K in all cases. In
these samples, TEM and diffraction analysis did not reveal any secondary phase formation. The results for the Fe implantation
are similar to those reported for Fe doping during epitaxial growth of GaN. 相似文献
17.
真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明,李志能,陈秀峰(浙江大学信息与电子工程学系)关键词:真空微电子,反应离子刻蚀一、引言近十年来,随着真空微电子学的崛起,利用微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化已成为可能,一种新型场致发射阵列真空荧光平... 相似文献
18.
本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 相似文献
19.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
20.
本文研究了胆绿素的表面增强拉曼光谱。结果表明,在溶液酸度不同时,拉曼光谱特征频率的变化表现出胆绿素的质子化。铜离子与胆绿素的相互作用实验结果说明金属铜离子可与胆绿素生成金属配合物。 相似文献