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N. S. Oliveira J. Dorgan J. A. P. Coutinho A. Ferreira J. L. Daridon I. M. Marrucho 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2007,45(5):616-625
The sorption of carbon dioxide in glassy Poly(lactic acid) (PLA) films was studied by quartz crystal microbalance (QCM) at high pressures. Two thermal treatments, melted and quenched, were performed in PLA with two different L:D contents, 80:20 and 98:2, films and compared with a third thermal protocol, annealed, and used in a previous work. The results obtained show that for pressures higher than 2 MPa, the carbon dioxide solubility is larger in PLA 80:20 than in PLA 98:2, indicating that the L:D plays a dominant role on this property. The thermal treatments only affect the gas solubility in PLA 98:2. Sorption isotherms at temperatures 303, 313, and 323 K, below the glass transition temperature of the polymer, and pressures up to 5 MPa were measured and analyzed with three different models, the dual‐mode sorption model, the Flory–Huggins equation, and a modified dual‐mode sorption model where the Henry's law term was substituted by the Flory–Huggins equation. This last model performs especially well for CO2 in PLA 80:20, due to the convex upward curvature of the solubility isotherms for that system. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 45: 616–625, 2007 相似文献
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针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
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The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压 melting temperature, molecular dynamics, high pressure Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01). 2005-01-12 5/8/2005 12:00:00 AM The melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments. 相似文献
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时分复用倍乘光脉冲重复率的新型光纤耦合器环状连接法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
提出并详细分析了一种基于时分复用技术倍乘光脉冲重复率的方法:在2×2光纤耦合器的一个输入口与一个输出口间,接入时延为脉冲列半周期奇数倍的一段光纤使之形成环状连接循环耦合,而在另一输出口获得光脉冲。详细分析了该系统中光纤耦合器耦合比、插入损耗、时延光纤长度的要求,偏差的影响及其调节法,给出了理论公式、结果的计算机模拟与实验介绍;与经典的马赫陈德尔干涉仪接法及近年提出的Sagnac环接法进行了比较。该方法特别适用于对窄脉冲列进行串接复用实现重复率的多次倍乘,从而得到数千兆赫至上百千兆赫的高重复率光脉冲 相似文献