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71.
Cai Xiaochun 《Annals of Differential Equations》2006,22(1):1-6
In this paper, we apply a critical point theorem and obtain the condition for the existence of three solutions to two-point boundary value problem of a second order nonlinear difference equation. 相似文献
72.
73.
设珮犠(狋):犚犖+ →犚犱是犖指标犱维广义Wiener过程,对任意紧集犈1,…,犈犿犚犖> ,该文研究了犿项代数和珮犠(犈1)…珮犠(犈犿)的Hausdorff维数,Packing维数和正的Lebesgue测度及内点的存在性. 其结果包含并推广了布朗单的结果. 相似文献
74.
本文利用聚集型状态方程,克拉贝龙方程以及临界条件推出聚集活性参量方程.分析结果表明,医药的药理活性是可以用聚集活性参量予以定量表征.本文给出了某些医药的主要的药物成分,如氧化亚氮 乙醚、氯仿和水杨酸甲酯等嘛醉剂),一氧化氮(硝酸甘油)、乙醇胺(医药活性剂)和多巴胺(神经递质)的生物活性数据.实践经验表明,这些化学品分别在生命体的心血管系统、神经系统和免疫系统中起着重要的药理功能作用.这表明,本文研究的内容在医药学研究领域有其重要意义. 相似文献
75.
76.
77.
在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础. 相似文献
78.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
79.
S. K. Godunov V. T. Zhukov O. B. Feodoritova 《Computational Mathematics and Mathematical Physics》2006,46(6):971-982
An algorithm is constructed for calculating invariant subspaces of symmetric hyperbolic systems arising in electromagnetic, acoustic, and elasticity problems. Discrete approximations are calculated for subspaces that correspond to minimal eigenvalues and smooth eigenfunctions. Difficulties related to the presence of an infinite-dimensional kernel in the differential operator are successfully handled. The efficiency of the algorithm is demonstrated using acoustics equations. 相似文献
80.
A thermodynamic modeling of GaN was carried out to describe the thermodynamic behavior of native defects, dopants, and carriers
(free electrons and holes) in GaN semiconductors. The compound energy model (CEM) was used. An unintentionally doped GaN was
taken as an example. Oxygen was introduced into the model as the unintentionally doped impurity, according to the practical
experimental phenomena. The energies of component compounds in the model were defined based on the results of the ab initio
calculations and adjusted to fit experimental data. The thermodynamic properties of the defects and the oxygen doped were
calculated to show the facility of the model. 相似文献