一种新型薄腔法-珀干涉测速系统研究

本文所关注的激光干涉测速技术主要用于测试在冲击波或爆轰波作用下各种材料样品的自由面速度随时间变化的过程,介绍了基于光学谐振腔的选频特性利用薄腔法-珀干涉仪直接测量高速飞片所引起的多普勒频移从而获得其速度信息的设想,并根据此设想构建薄腔法-珀干涉测速系统的技术路线。最后描述了利用该项测试技术实际测量金属箔电爆炸驱动的Kapton膜飞片速度的实验并对实验结果进行了分析。与其它激光测速装置相比,该干涉仪具有体积小、结构简单紧凑和成本低的特点。     

Ka波段双平衡星型混频器的设计与仿真

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一个26-38 GHz单片双平衡星型混频器,本设计改变了星型混频器一贯的混合微波集成电路结构,设计了版图实现单片集成,最后得出电磁仿真结果。此混频器能在中频为DC-12 GHz时,电磁仿真结果达到7-10 dB的变频损耗和15 dB以上的端口隔离。     

动态对抗下捷变频对雷达检测性能的影响及其抗干扰性能度量研究

分析研究了动态对抗情况下捷变频对雷达检测性能的影响,提出了一种雷达捷变频抗干扰性能的度量方法.     

高压大容量变频技术现状及交——交SDM级联技术简介

本文通过对目前广泛使用的三电平及多电平级联高压变频控制方案技术特点的对比论述，介绍了一种新型高压大容量变频器控制方案，并对该方案的优越性作了介绍。     

BER Performance of Frequency Domain Differential Demodulation OFDM in Flat Fading Channel

A closed form expression for the bit error rate (BER) performance of frequency domaindifferential demodulation(FDDD) for orthogonal frequency division multiplexing system in flat fadingchannel is derived.The performance is evaluated by computer simulation and compared with the timedomain differential demodulation(TDDD).The results indicate that the performance of FDDD is betterthan that of TDDD,and the lower band of BER in the former is lower than that of the latter.     

CMOS高线性变增益放大器

设计了用于无线接收机的中频变增益放大器.该放大器由运算放大器和电阻反馈网络组成.分析了闭环变增益放大器产生失真的原因,通过提高输出电阻的线性等方法降低了输出大信号的失真.设计的全差分变增益放大器使用韩国"东部"CMOS 0.25 μ m工艺,电源电压3.3V,在2Vpp差分输出下,失真低于-80dB,放大器功耗3mW.     

高层长途电信枢纽楼几种典型结构体系技术经济比较

通过对信息产业部设计院及北京邮电设计院近几年设计完成的几种长途电信枢纽楼结构设计进行分析、研究、归纳出几种典型结构体系在不同高度、不同地震设防烈度情况下的技术性能及经济指标。指出了可供电信枢纽楼结构体系选择时参考的倾向性意见。     

反应溅射法制备耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结

自对准GaAs场效应晶体管工艺要求非常稳定的材料作为栅电极,经高温退火过程后它仍必须与衬底保持良好的肖特基接触。本文总结了近几年来有关耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结的研究工作,对取得的进展及存在的问题进行了讨论。     

弯曲振动压电陶瓷换能器

介绍了一种夹心式弯曲振动压电陶瓷换能器，该换能器由压电陶瓷半圆片、前后金属盖板以及预应力螺栓三部分组成，在结构上类似于夹心式纵向振动换能器。从弯曲振动细棒的运动方程出发，得出了夹心式弯曲振动压电换能器的频率设计方程，在此基础上，进行了弯曲振动换能器设计，结果表明，利用本文得出的公式设计换能器，其共振频串的测试值与设计值基本符合。     

多路高压放大器输出直流电压监测与显示系统设计

在自适应光学系统中,自适应控制器AD输出控制信号需要通过高压放大器放大成高压电驱动压电陶瓷变形镜,从而实现波前实时校正.在实际系统中,往往需要对高压放大器输出电压进行实时监测.本系统采用小体积单片机C8051F310作为控制器,采用专用电表芯片CS5460A作为核心测量芯片,实现了单板对20路0～500 V直流电压的实时监测与显示,线性度优于0.2％.