高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

磁性Salisbury屏的高频响应

研究了利用磁性薄膜构造Salisbury屏的可能性及其在微波频段的反射率频率特性.结果表明，利用铁磁性材料在铁磁共振频率附近磁化率具有χ″>χ′的特性，可以构造出对电磁波有良好吸收性能的磁性Salisbury屏.通过对铁磁材料高频磁谱物理机理的分析后指出，具有弛豫型共振磁谱的铁磁材料可以构造出薄膜型Salisbury屏，其厚度为微米甚至亚微米量级.反射率的频率特性与磁性材料的特征阻抗z-r有关，它取决于铁磁共振频率和静态磁化率.反射率的频率响应显示磁性薄膜Salisbury屏具有较宽的吸收带宽. 关键词： 磁性Salisbury屏 反射率 频带响应 磁性薄膜     

强流离子束离子径向密度分布的模拟研究

对初始分布为K-V分布的离子束进行模拟研究.除观察到存在束晕现象外，还发现离子束在通 道内运行过程中，离子沿径向密度分布发生了变化. 通过延迟反馈控制，不仅可以消除束晕 ，而且只要控制参数适当，也可以使束中心部分呈均匀分布状态. 关键词： 强流离子束 束晕 填充因子 离子密度分布     

X波段六腔渡越管振荡器的高频特性研究

 从麦克斯韦方程出发，采用时域有限差分法（FDTD）和离散傅里叶变换（DFFT）相结合的方法，通过数值计算得出了六腔开放式谐振腔中前四个谐振频率和场分布，计算出的谐振频率与实验测量结果基本相同。比较了开放腔和封闭腔谐振频率，验证了TEM波吸收边界条件，并在实际编程计算中得以应用。计算结果为六腔渡越管振荡器的机理研究提供了依据。     

BEPCⅡ LINAC束流光学匹配及轨道校正计算研究

 北京正负电子对撞机直线注入器(BEPCⅡ LINAC)的升级改进要求建立束流光学匹配计算和轨道校正系统，为此对束流光学匹配计算和轨道校正计算的方法进行了研究，并采用VC++语言编写了相应的程序，利用最小二乘法原理进行了束流光学匹配计算，模拟了束流轨道校正，取得了较为理想的结果。     

全景图像几何畸变校正的算法研究及其软件实现

对于360°视场的全景图像,本文提出了分别对其进行切向和径向畸变校正的处理算法,并用插值处理提高处理精度。达到了将全景图像恢复为常规视场平面像的目的。它是进一步图像分析的前期工作。     

New developments in CdTe and CdZnTe detectors for X and γ-ray applications

There has been considerable recent progress in II-VI semiconductor material and in methods for improving performance of the associated radiation detectors. New high resistivity CdZnTe material, new contact technologies, new detector structures, new electronic correction methods have opened the field of nuclear and x-ray imaging for industrial and medical applications. The purpose of this paper is to review new developments in several of these fields. In addition, we will present some recent results at LETI concerning first the CdTe 2-D imaging system (20 × 30 mm² with 400 × 600 pixels) for dental radiology and second the CdZnTe fast pulse correction method applied to a 5 × 5 × 5 mm³ CdZnTe detector (energy resolution = 5% for detection efficiency of 85% at 122 keV) for medical imaging.     

InxGa1−xAs ohmic contacts to n-type GaAs with a tungsten nitride barrier

Significant reduction of the contact resistance of In_0.7Ga_0.3As/Ni/W contacts (which were previously developed by sputtering in our laboratory) was achieved by depositing a W₂N barrier layer between the Ni layer and W layer. The In_0.7Ga_0.3 As/Ni/W₂N/W contact prepared by the radio-frequency sputtering technique showed the lowest contact resistance of 0.2 Ωmm after annealing at 550°C for 10 s. This contact also provided a smooth surface, good reproducibility, and excellent thermal stability at 400°C. The polycrystalline W₂N layer was found to suppress the In diffusion to the contact surface, leading to improvement of the surface morphology and an increase in the total area of the In_xGa−As between metal and the GaAs substrate. These improvements are believed to reduce the contact resistance.     

自动线性跟踪Butterworth有源滤波器研究

滤波是通信、测试、数据采集和实时控制等领域至关重要的环节。通常的模拟滤波器，由于截止频率固定，在某些宽频率动态范围且有实时性要求的应用场合，往往达不到预期的滤波效果，有时甚至影响整个系统的正常运行。本文从有源滤波器的机理分析入手，提出了一种由单片机参与的滤波系统，它能自动跟踪输入信号频率，线性地选择合适的滤波器截止频率，弥补了原有滤波器的不足。     

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.