全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

有机EL的稳定性和寿命

介绍了有机ＥＬ在稳定性及寿命方面的最新研究动态，着重描述了器件功能层组合的相互接触、阴极、空穴传输层玻璃化温度和驱动条件等对有机ＥＬ稳定性和寿命的影响。     

磁电子学器件应用原理

本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

ispLSI1032E器件及其应用

介绍了Lattice公司的大规模集成电路ispLSI1032E,它是一种在系统复杂可编程逻辑器件(CPLD),借助于EDA设计软件可以随时更改芯片的功能,而且不需要改动印制电路板(PCB)的结构,大大提高了系统设计的效率,并保证了设计的正确性。最后设计了基于该芯片的EDA教学实验系统。     

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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

浅述通信电源系统的防雷与接地

对雷电的发生及危害，尤其对通信电源设备的危害进行了分析，并论述了怎样对设备进行防雷保护。同时介绍了接地系统的分类、技术要求与建造方法等。     

Widely tunable long-period fiber grating with nm-thick higher refractive index film overlay

By introducing a four-layer step-index waveguide modeling, the characteristics of long-period fiber grating (LPFG) with an nm-thick film overlay, which has higher refractive index than that of fiber cladding are investigated in detail. The influence of both the overlay thickness and refractive index on the tuning ability of LPFG is analyzed. The numerical results demonstrate that spectral response of LPFG is divided into three distinct regions as the overlay deposition increases and the shift of resonant wavelength is drastic in some special thickness range. In conjunction with higher-order cladding mode coupling and fiber cladding etching, the sensitivity of LPFG to the overlay refractive index is enhanced significantly and over 120 nm resonant wavelength tunable range is achieved.     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。