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21.
何进  张兴  黄如  王阳元 《半导体学报》2002,23(3):296-300
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.  相似文献   
22.
An optical fiber multi-function device consisting of a single gradient-index-rod lens and a multi-facet blazed reflection grating is proposed to simultaneously realize functions of wavelength demultiplexing and optical signal distribution in a multimode optical fiber transmission system. We analyzed the demultiplexing characteristics and the tolerance of optical components using the ray trace method. This device can realize not only low loss optical signal distribution but also offers improved demultiplexing characteristics in comparison with the previously proposed demultiplexer-multiposition switch. The following characteristics are expected from the design using commercially available optical components: a working band of 0.64–0.88 μm, channel separation of 34–36 nm, 3 dB bandwidth of 27–28 nm, channel cross-talk of less than - 40 dB and minimum excess insertion loss of 0.9–2.1 dB.  相似文献   
23.
阎永志 《压电与声光》1996,18(4):279-285
纳米科学技术将成为21世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子,制造量子功能器件,从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和STM原子操纵技术的研究现状,介绍原子层蚀刻,单层抗蚀剂自形成蚀刻,纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态,展望纳米技术的发展前景。  相似文献   
24.
空间光调制器是光信息处理机的基本结构单元,它能根据电驱动信号或光驱动信号,随时修正与空间和时间有关的读出光束的偏振、相位和幅度.介绍了适用于光控相控阵雷达系统的空间光调制器,包括它们的结构、原理和性能.  相似文献   
25.
高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正   总被引:2,自引:2,他引:0  
对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析,同时,基于基尔霍夫衍射理论,在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式,在此基础上,对近轴近似条件做出了定量分析,给出了这个近似条件引入的误差,提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法,并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件,如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中,可以大大降低工作的复杂性,同时可以得到精确的结果。  相似文献   
26.
介绍了用能保证哈密顿系统“辛”性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD?–?1对储存环的影响作了初步的研究  相似文献   
27.
本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外,还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果,并与已往的模型作了比较.  相似文献   
28.
雷达发射机中大功率器件(如速调管)的强迫液体冷却是一种常用的冷却方式。本文根据某雷达发射机冷却系统的设计.介绍了大功率速调管发射机水冷系统的设计方法。  相似文献   
29.
GaN材料系列的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
宋登元  王秀山 《微电子学》1998,28(2):124-128
GaN及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,在光电子器件,高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景,已成为当前高科技领域的研究重点,论述了这种材料的研究历史与发展现状,物理与化学性质,薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。  相似文献   
30.
郑康 《电子器件》1998,21(4):228-232
本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析,相应的研究结果表明此法有利于拓宽STN液晶显示器的负温工作范围。  相似文献   
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