一种新型平板彩色显示器件的制备和光谱分析

以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq₃作为发光层, 成功制备出ITO/SiO₂/MEH-PPV/SiO₂/Al结构和ITO/SiO₂/Alq₃ /SiO₂/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子。当器件两个电极之间加的电压比较低时,有机薄膜层的场强也比较低,这些激子被解离的概率很小,从而产生的是激子发光的长波发射;当器件两个电极之间加的电压比较高时,有机薄膜层的场强很高, 在有机层形成的激子大部分被解离, 解离后的电子直接跃迁至LUMO(lowest unoccupancied molecular orbit),这些电子弛豫后从LUMO能级到HOMO(highest occupancied molecular orbit )能级直接辐射跃迁, 接着重新复合发光,从而产生短波发射。制作的固态阴极射线器件可以实现全色发光, 提高发光效率和加强蓝光发射。作者可以预期所研制出的这种SSCL器件必将引发平板显示领域一场新的革命性变革。     

半导体器件发展历程及其展望

简述了半导体器件发展历程,及其对人类社会发展所产生的深刻影响。探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。     

氮低温制冷循环系统在大科学装置中的应用与发展

大科学装置中低温设备的氮低温冷量需要日益快速增长,为减少能耗和保障装置的长期稳定运行,基于大科学装置氮低温系统运行需求,介绍了氮低温制冷循环系统在国内外大科学装置中的应用情况,总结了目前大科学装置中应用氮低温制冷循环系统的研究现状,并探讨以氮制冷机为核心的氮低温制冷循环系统在未来大科学装置中发展方向。     

基于B3PyMPM∶Cs高效叠层OLED器件的制备

以B 3 PyMPM∶Cs/Al/HAT-CN作为电荷生成单元制备高效叠层绿色磷光有机电致发光器件,叠层器件的最大电流效率和最大流明效率分别为172.2 cd/A和111.0 lm/W,在5 mA/cm^2电流密度下,叠层器件的电压和亮度分别为传统器件的2.04倍和2.84倍.为了探究叠层器件性能优于传统器件的原因,研究了电荷生成单元内的电荷产生和注入过程,以及薄层铝对电子注入特性和电荷生成单元稳定性的影响.实验结果表明,电荷能够有效地在电荷生成单元内产生并顺利注入电子传输层中,B3PyMPM∶Cs和HAT-CN间Al薄层的插入能够进一步提高电子注入效率及器件结构的稳定性.     

空间雷电探测实时采集定位系统

星载雷电探测定位系统是利用光学探测器探测闪电事件的地理位置和光脉冲波形,系统采用CPLD+DSP的数字图像处理方案,利用了CPLD复杂逻辑可编程特性将系统的部分或全部功能集成在一片CPLD上,减小了系统硬件复杂程度,节省了印制版空间.利用DSP高速数字信号处理特性完成实时处理图像数据的功能.系统用CPLD完成图像信号的采集、编码和存储控制,缩小了星载设备体积,简化了电路结构;用DSP完成大量图像数据处理工作,提高了系统工作的实时性.     

异型声表面波器件PSPICE仿真

提出了采用PSPICE仿真声表面波器件的方法,它将叉指换能器一个周期段Mason等效电路复阻抗采用LC串并联网络等效,并以子电路形式由叉指换能器等效电路调用,两换能器间声传播路径采用等延迟时间的无损耗传输线等效,同时考虑外电路影响,仿真得到的异型声表面波器件的幅度特性与实测结果基本相符。     

星载光学遥感仪器激光防护薄膜技术

激光武器的迅速发展使得激光防护技术研究成为必要,目前,破坏卫星上的遥感仪器是激光反卫星的一个主要可能途径。为了有效防护星载遥感仪器,利用光学薄膜方法,可以对氧碘激光进行防护的薄膜,在不影响遥感仪器正常工作的条件下,可将遥感仪器的激光损伤或致盲阈值提高80倍,大幅度提高了遥感仪器的生存能力。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计

在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。