Improving breakdown voltage performance of SOI power device with folded drift region

A novel silicon-on-insulator(SOI) high breakdown voltage(BV) power device with interlaced dielectric trenches(IDT) and N/P pillars is proposed. In the studied structure, the drift region is folded by IDT embedded in the active layer,which results in an increase of length of ionization integral remarkably. The crowding phenomenon of electric field in the corner of IDT is relieved by the N/P pillars. Both traits improve two key factors of BV, the ionization integral length and electric field magnitude, and thus BV is significantly enhanced. The electric field in the dielectric layer is enhanced and a major portion of bias is borne by the oxide layer due to the accumulation of inverse charges(holes) at the corner of IDT.The average value of the lateral electric field of the proposed device reaches 60 V/μm with a 10 μm drift length, which increases by 200% in comparison to the conventional SOI LDMOS, resulting in a breakdown voltage of 607 V.     

Brief overview of electrochemical potential in lithium ion batteries

The physical fundamentals and influences upon electrode materials' open-circuit voltage(OCV) and the spatial distribution of electrochemical potential in the full cell are briefly reviewed. We hope to illustrate that a better understanding of these scientific problems can help to develop and design high voltage cathodes and interfaces with low Ohmic drop. OCV is one of the main indices to evaluate the performance of lithium ion batteries(LIBs), and the enhancement of OCV shows promise as a way to increase the energy density. Besides, the severe potential drop at the interfaces indicates high resistance there, which is one of the key factors limiting power density.     

基于LED驱动芯片的低温漂CMOS基准电压源

设计了一种低温漂CMOS基准电压源,应用于LED驱动芯片中.采用基本的带隙基准电压源原理,并对结构进行了改进,减小了失调电压对输出的影响,同时可以提供多路输出,满足LED驱动芯片中多个基准电压的需求.基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所设计电路进行了模拟仿真.常温(25℃)下,电源电压为4V时电路具有稳定的三路输出:200mV、600mV和1V,温度在-45～85℃变化时,温度系数为16.9ppm/℃,PSRR大于-70dB@1kHz.     

电磁环境及其生物效应

强电磁辐射、工频电场与磁场及紫外线辐射均可产生生物效应。详细讨论了电磁环境的生物学效应;计算了典 型通信基站同时考虑邻近扇区辐射影响实际安全防护距离随方位的变化特性,其天线最大辐射方向上和最小辐射方位上 的最小安全防护距离分别为35.43m 和18.16m;利用等效电荷法计算了220kV、330kV 和500kV 高压输电线下空间工频 电场强度分布和安全防护距离,相对应输电线下电场最小安全防护距离分别为距边线外3.1m、8.0m 和12.7m。     

高压单芯电缆外护套故障的定位及修复

针对高压单芯电缆在敷设施工后出现的外护套耐压试验通不过的故障,分析了外护套故障产生的原因和故障定位的几种方法。基于高压电桥定位法,给出了相关故障的查测经验和技巧。同时介绍了电缆外护套故障的修复方法。     

前端播控机房安全供电运行实践

主要介绍前端播控机房安全供电的两个实例:零地电压存在的原因和相应的改进措施以及机房UPS扩容模式,并解决了扩容后碰到的问题。最后提出了建设新机房有关安全供电的思路和设想。     

研讨传声器管的特定参数IDS

介绍了传声器结构原理与普通JFET的区别,说明了外加电阻器R或"两孔"的基本原理和作用,研究分析了传声器的工作电流IDS和饱和漏电流IDSS的特性以及两者之差形成的原因,并进行了大量实验。最后指出,加电阻器结构逐渐减少甚至取消,而外加"两孔"已被大量采用,更适应大批量生产需要。而IDS变化,进而又改变其他电参数,是生产传声器管中的重要问题。     

一款无电压比较器的欠压保护电路

基于双极型晶体管的伏安特性,设计了一款可独立工作的欠压保护电路。该电路工作无需依赖外部模块提供的基准电压和偏置电流,有效的增强了模块保护能力和可靠性。使用华润上华CSMC 0.5um CMOS工艺完成了电路以及版图设计;对电源电压在3.9至4.3V之间仿真,结果表明电路保护功能正常,并具有90mV(可调)的迟滞功能,可有效防止电源电压不稳定引起的输出信号异常跳动。     

功率半导体模块压接工艺分析与改进

本文通过对功率半导体模块压接结构工艺的的理论分析,提出了在其结构设计上的一些改进措施。     

新型介质阻挡放电平面光源高压窄脉冲逆变电源的设计与研究

为了提高介质阻挡放电型平面光源的放电效率,本文设计并给出了一种可用于介质阻挡型平面光源及基于介质阻挡原理的气体放电器件的高压窄脉冲产生电路.该逆变电路包含两个全桥逆变电路部分,通过控制两全桥逆变电路输出脉冲的相位差来实现高压窄脉冲的输出.设计并验证了基于12英寸介质阻挡放电平面光源的电路原型.实验结果表明,该逆变电路可以实现最小脉宽为800 ns,脉冲幅值为4.5 kV的高压窄脉冲;亮度及发光效率随工作频率的升高而升高;当输入功率为36.4W时,亮度可达3200 cd/m2,此时系统发光效率为13.4 lm/W.