可编程控制波长调谐的环形掺铒光纤激光器

提出了一种新型的可调谐光纤激光器,器件采用介质薄膜干涉滤波器进行波长可编程调谐,调谐范围超过38 nm(1 526.5～1 564.6 nm),中心波长可精确调谐到C波段指定的ITU-T波长栅格的标准中心波长处,3 dB带宽小于0.08 nm,25 dB带宽小于0.22 nm,波长稳定性优于0.01 nm,边模抑制比大于60 dB,最大输出光功率35.6 mW,功率稳定性优于±0.02 dB,阈值泵浦功率和斜率效率分别为5.8 mW和36.6%.     

Sm2O3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响

为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm<,2>O<,3>掺杂的PMN陶瓷(PSMN).研究了Sm<,2>O<,3>掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值...     

介质周期结构色散特性的严格分析：一种三维边值问题的求解方法

本文以耦合模理论和Ｆｌｏｑｕｅｔ理论为基础，把本征模展开与空间谐波展开巧妙地结合起来，严格分析了斜入射情况下介质周期结构的色散特性－三维边值问题。这种新方法既避免了通常耦合模方法分析此类问题所引入的微扰近似，又比Ｆｌｏｑｕｅｔ方法简单方便。通过对斜入射情况下一些介质结构滤波特性的数值分析，证实了本文方法的有效性，精确性和实用性。     

三维导体介质复合结构电磁辐射与散射的MLFMA分析

利用多层快速多极子方法(MLFMA)分析三维导体介质复合结构的电磁辐射与散射特性.根据等效原理,介质表面构造Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu(PMCHW)方程,导体表面建立电场积分方程(EFIE).分析了含介质目标MLFMA算法中远区组矩阵矢量相乘运算以及有耗媒质空间中格林函数的平面波展开.利用该方法研究了涂敷目标电磁散射特性以及天线罩对直线阵天线辐射特性的影响.MLFMA的应用降低了计算量和存储量,实现了对电大尺寸目标快速、准确的求解.     

BaTiO3烧结陶瓷的微结构及介电性能研究

以超重力反应沉淀法制得的纳米BaTiO3为初始粉体,在不同温度烧结得到BaTiO3陶瓷。分别用SEM和阻抗分析仪测试陶瓷微结构和介电性能。结果表明：陶瓷微结构尤其晶粒尺寸对陶瓷介电性能影响极大;烧结温度低于1250℃时得到细晶粒陶瓷(d=300～400nm),表现出明显的低介电常数和相变弥散的特征;烧结温度达1250℃时得到陶瓷超出细晶粒陶瓷范围,烧结温度为1300℃时,得到陶瓷晶粒尺寸为3～4μm,室温介电性能优于粗晶粒陶瓷。     

PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。     

基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底，制备了微型微波共平面波导，采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数；提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明，在20μm多孔硅上的波导，其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm；而在70μm多孔硅上制备的波导，其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算，推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65％。     

SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。     

Atomic-layer-deposited Al2O3 and HfO2 on GaN: A comparative study on interfaces and electrical characteristics

Al₂O₃, HfO₂, and composite HfO₂/Al₂O₃ films were deposited on n-type GaN using atomic layer deposition (ALD). The interfacial layer of GaON and HfON was observed between HfO₂ and GaN, whereas the absence of an interfacial layer at Al₂O₃/GaN was confirmed using X-ray photoelectron spectroscopy and transmission electron microscopy. The dielectric constants of Al₂O₃, HfO₂, and composite HfO₂/Al₂O₃ calculated from the C-V measurement are 9, 16.5, and 13.8, respectively. The Al₂O₃ employed as a template in the composite structure has suppressed the interfacial layer formation during the subsequent ALD-HfO₂ and effectively reduced the gate leakage current. While the dielectric constant of the composite HfO₂/Al₂O₃ film is lower than that of HfO₂, the composite structure provides sharp oxide/GaN interface without interfacial layer, leading to better electrical properties.     

基于FPGA的自适应旁瓣对消原理及其实现

自适应旁瓣对消(ASLC)是雷达抗有源干扰的有效方法。它采用空间滤波技术，通过辅助接收通道在干扰方向形成波束图的零点，实现对干扰信号的抑制。本文介绍了自适应旁瓣对消的原理，然后给出了基于FPGA的ASLC实现方案，最后通过仿真和试验结果，分析了自适应旁瓣对消的性能。