托卡马克能量约束及自举电流效应的初步考虑

基于Lee等人的离子温度梯度模导致的反常热能输运系数,本文研究了辅助加热托卡马克等离子体的能量约束行为,并对自举电流的效应作了初步考虑。结果表明,计算得到的能量约束时间随等离子体电流I_p和托卡马克大半径R增大而增长,随注入功率P_t、环向场B_t以及等离子体小半径α的增大而缩短。这些结果与Kaye-Goldston的经验约束定标具有相同的趋势。自举电流的存在总是导致能量约束时间的增加,当自举电流与总电流的比值γ较小时,能量约束时间的增加率约为γ/2。此外,自举电流将造成锯齿反转半径的减小。     

On the Realization of Current－Mode Continuous－Time Operational Transconductance Capacitance Filter

ＯｎｔｈｅＲｅａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＣｕｒｒｅｎｔ－ＭｏｄｅＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓＴｉｍｅＯｐｅｒａｔｉｏｎａｌＴｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅＣａｐａｃｉｔａｎｃｅＦｉｌｔｅｒ￥ＧｕｏＪｉｎｇｂｏａｎｄＨａｎＱｉｎｇｑｕａｎ（ＣｈａｎｇｃｈｕｎＰｏｓ...     

开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。     

本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

Optical current transducer with bulk type Bi12SiO20 faraday sensor for power systems

Two types of optical current transducers (OCTs) have a bulk Faraday sensor inserted into the gap of an iron core and a porcelain insulator with optical fiber. The sensor consists of Bi₁₂SiO₂₀ (BSO) single crystal, a polarizer, and an analyzer. The OCTs satisfied the target performance requirement for fault location and metering and demonstrated maintained performance at some power utilities in Japan and the US. We have developed a fault location system that immediately detects the fault current with the OCTs, there by locating the fault section. The OCT can easily replace the existing support insulators for the disconnecting switch without any modifications to structure height or bus-bar. For metering requiring 0.3% class accuracy, use of a BSO with right optical rotatory power combined with BSO with left optical rotatory power results in a Faraday sensor with improved temperature characteristics. The OCT demonstrated 0.3% class accuracy for metering described in the current transformer Specifications of IEEE C57–13, 1993.     

多气隙电阻板室抗辐照性能研究

给出了为RHIC-STAR飞行时间探测器设计的多气隙电阻板室(MRPC)的辐照实验结果. 实验采用100mCi⁶⁰Co γ源, 采用不同的剂量率对MRPC进行辐照. 一个室在大剂量率2.87×10^－2Gy/h下辐照了24h后, 其性能如噪声计数率, 暗电流等均大大退化. 另一个室在相对低剂量率5.31×10^－4Gy/h下辐照了530h, 其性能没有见到任何变坏. 实验的目的是为了了解这种探测器在几年的运行中经过大剂量的辐照后的性能变化情况.     

交流源作用下介观RLC电路系统量子态随时间的演化

根据量子不变量理论，同时考虑介观电容器极板间电子波函数的耦合作用和电路的耗散,研究介观RLC电路系统在交流电流源作用下动力学的演化过程，并且得到描述系统量子态随时间的演化算符.进一步的分析结果表明，介观RLC电路系统的波函数将由任意的初态演化到一般的压缩态. 关键词： 介观RLC电路 交变电源 不变量理论 时间演化算符     

s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结的直流Josephson电流

在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 关键词： s/I/d超导结 dx2-y2波超导体 直流Josephson电流     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

热释电系数的测量方法

描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法，测试系统简单，测量数据准确，且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法，采用调制热源技术，研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。