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本文简要说明了5G标准的全球活动以及目前5G的愿景和需求,针对5G的需求从提高系统频谱效率、提高系统带宽和增加站址密度3个方面入手,详细的介绍了各条脉络的发展历程和目前的备选技术,并分析了技术的适用场景和使用时的注意点。 相似文献
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提出一种基于互Wigner-Ville分布(XWVD)的瞬时频率迭代估计方法.理论分析了该方法的收敛性,通过仿真比较了各种瞬时频率估计方法在噪声下的估计方差,证明此方法在低信噪比情况下对估计线性调频信号的瞬时频率有较好的效果.并采用加窗的方法改进了此算法,仿真结果证明,改进的方法对非线性调频信号的瞬时频率进行了有效估计. 相似文献
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研究了A位Ba2+取代对(Ca1-xBax)[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ (0≤x≤0.2,CBLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0≤x≤0.025时,体系为单一钙钛矿相,随Ba2+含量的增加,谐振频率温度系数(τf)由-9.4×10-6/℃增加到18×10-6/℃,而品质因数(Q)先增大;当x=0.025时,开始下降.用键价理论分析了谐振频率温度系数随B位键价的变化关系.当x(Ba2+)=2.5%时,陶瓷微波介电性能最佳,即介电常数εr=34.3,品质因数与频率的乘积Q·f =13 400 GHz,τf =-2.1×10-6/℃. 相似文献
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首先讨论了线性调频信号在时频域的主要特点及调频斜率与振幅频谱的关系,在此基础上提出基于频率区间二分解调的LFM信号参数估计方法。该方法充分利用了LFM信号的线性性质,有效地将信号与噪声分离开来,通过二分法搜索调频斜率,提高了LFM信号参数的估计效率。 相似文献
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介绍了一种可对高频信号进行取样、加权、控制、叠加的模拟信号处理开关集成电路,通过两个高宽长比的高跨导NM O S晶体管可实现权值的粗调和微调。该电路采用标准0.6μm CM O S工艺制造。测试结果表明:该电路的工作频段为50~250 MH z时,导通时最小插入损耗约为-5.0~-10.5 dB,关断时隔离度可达-40.5~-23.4 dB左右;其连续可调的加权动态范围最大值为21.3 dB。 相似文献
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结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2) ,都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进. 相似文献