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111.
Single-Stage Extraction and Separation of Co2+ from Ni2+ Using Ionic Liquid of [C4H9NH3][Cyanex 272]
The purpose of this study was to optimize the extraction conditions for separating Co2+ from Ni2+ using N-butylamine phosphinate ionic liquid of [C4H9NH3][Cyanex 272]. A Box–Behnken design of response surface methodology was used to analyze the effects of the initial pH, extraction time, and extraction temperature on the separation factor of Co2+ from sulfuric acid solution containing Ni2+. The concentrations of Co2+ and Ni2+ in an aqueous solution were determined using inductively coupled plasma-optical emission spectrometry. The optimized extraction conditions were as follows: an initial pH of 3.7, an extraction time of 55.8 min, and an extraction temperature of 330.4 K. The separation factor of Co2+ from Ni2+ under optimized extraction conditions was 66.1, which was very close to the predicted value of 67.2, and the error was 1.7%. The equation for single-stage extraction with high reliability can be used for optimizing the multi-stage extraction process of Co2+ from Ni2+. The stoichiometry of chemical reaction for ion-exchange extraction was also investigated using the slope method. 相似文献
112.
Extrinsic lattice matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT model, incorporating the parasitic source and drain resistance, for very high frequency application is developed. The current voltage characteristics and the transconductance have been evaluated and the influence of carrier concentration dependent mobility on frequency has also been analyzed. A cut-off frequency of 135 GHz is obtained. 相似文献
113.
带有多层介质衬底FSS的损耗和带宽特性分析 总被引:11,自引:2,他引:11
本文简要介绍应用模匹配方法分析带有多层介质衬底的FSS频率响应技术,在此基础上研究带有多层介质衬底的平面Y形缝隙周期阵列对平面波的频率传输特性。重点讨论介质层厚度变化对FSS传输损耗及带宽的影响。 相似文献
114.
115.
116.
117.
118.
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向. 相似文献
119.
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一个26-38 GHz单片双平衡星型混频器,本设计改变了星型混频器一贯的混合微波集成电路结构,设计了版图实现单片集成,最后得出电磁仿真结果。此混频器能在中频为DC-12 GHz时,电磁仿真结果达到7-10 dB的变频损耗和15 dB以上的端口隔离。 相似文献
120.
稳定大功率单频输出He-Ne激光器的新进展 总被引:1,自引:0,他引:1
继文献[1~3]之后,为了提高输出功率,并消除放电毛细管不规则带来的腔损耗,作者研磨了放电毛细管的内壁,将输出功率进一步提高到24mW。此时激光器的主要结构参数为:腔长1140mm,放电管长1m,放电管内径2.48mm;采用平凹腔结构,凹面曲率半径为4m, 相似文献