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1.
一种低耐压器件实现的压电陶瓷驱动电源 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍采用普通低耐压器件三端可调集成稳压块实现的300V输出的压电陶瓷驱动电源的设计思想,电路原理,设计计算及安装调试等内容,该设计的特点是电路简单,可靠性好,经济实用。 相似文献
2.
M. Bennahmias H. B. Radousky T. J. Goodwin R. N. Shelton 《Journal of Electronic Materials》1993,22(10):1189-1193
Magnetic characterization has been performed on the members of the cuprateniobate RBa2Cu2NbO8 (R = Pr, Nd, and La) series and R1.5Ce0.5Sr2Cu2NbO10 (R = Pr, Eu, Nd, and Sm) series. The PrBCNO samples show a signature in the magnetization of a magnetic ordering at 12K.
The PrCSCNO sample is nonsuperconducting and shows two distinct orderings at 17K and 53K. No such magnetic phase transition
is observed down to 2K in the Nd and La based RBCNO materials or the Nd, Sm, and Eu based RCSCNO materials. Measurements of
the lower critical field curve, dc irreversibility line, and critical curent densities are reported for each of the superconducting
NdCSCNO, SmCSCNO, and EuCSCNO compounds. 相似文献
3.
4.
Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
5.
Tian-Ling Ren Lin-Tao Zhang Li-Tian Liu Zhi-Jian Li 《Journal of Sol-Gel Science and Technology》2002,24(3):271-274
A novel silicon-based PbTiO3/Pb(Zr,Ti)O3/PbTiO3 (PT/PZT/PT) sandwich structure has been prepared using a sol-gel method. The annealing temperature is greatly reduced compared with those structures without PT layers. Capacitance-voltage (C-V), leakage current-voltage (I-V), polarization-field (P-E), dielectric-frequency response and polarization fatigue of the sandwich structure are examined. The relative dielectric constant, the coercive field and the remanent polarization of the PZT films are measured to be about 900, 18 kV/cm and 16 C/cm2 respectively. The current density is less than 5 × 10–9 A/cm2 below 200 kV/cm. The dielectric constant of the structure remains constant at low frequency, and decreases to some degree at high frequency. The retained polarization does not change significantly after 8 × 109 read/write cycles. The PZT films are proved to have very good dielectric and ferroelectric properties. The new PT/PZT/PT sandwich structure can be valuable for memory devices and other applications. 相似文献
6.
研究了前驱体合成(又称铌铁矿合成)与传统的氧化物混合合成,对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷性能的影响。结果表明,前驱体合成工艺能够在合成过程中避免焦绿石相的生成。并且相比较于氧化物混合合成的工艺,它能使得压电陶瓷的压电常数d33由475 pC/N提高到530 pC/N,机械品质因数Qm从96提高到185,介质损耗tanδ也从0.020降低到0.009。综合实验分析结果得出前驱体合成方法是一种更加优异的合成方法。 相似文献
7.
孔梯度陶瓷纤维复合膜管的制备及特性 总被引:1,自引:0,他引:1
陶瓷过滤管具有孔隙率高、耐腐蚀、耐高温、机械强度高、便于清洗、使用寿命长等优点,是高温烟尘处理用的高效过滤元件.本文研制了一种具有梯度孔结构堇青石陶瓷纤维复合膜过滤元件,该过滤元件是由多孔支撑体、过渡层和分离膜层组成.其中支撑体、过渡层和分离层的气孔率分别为35~40;、50~60;和60~70;.文中主要分析了孔梯度陶瓷纤维复合膜管的材料结构和抗热震性能,同时对复合膜管进行含尘气体过滤的冷态模拟试验.对于烟气中粒径大于或等于0.1μm的颗粒,复合膜管的截留率达到99.8;以上. 相似文献
8.
本文通过引入稀土氧化物Y2O3、Tm2O3为烧结助剂低温制备了氧化铝含量大于99.5;的多晶氧化铝陶瓷.实验表明:稀土氧化物的加入能够明显降低99.5;多晶氧化铝陶瓷的烧结温度,提高致密度.Y2O3、Tm2O3混合烧结助剂与单一稀土氧化物的烧结助剂相比能够明显抑制晶粒的生长,促进晶粒的均匀发育.当Y2O3+Tm2O3的含量为0.3;质量分数时,99.5;多晶氧化铝陶瓷的相对密度可达99.2;理论密度,抗弯强度为533MPa,显微硬度为17.2GPa.陶瓷断裂主要以穿晶断裂为主. 相似文献
9.
频率上转换掺稀土氧氟纳米微晶玻璃的研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了近年来用于上转换发光的掺稀土离子氧氟微品玻璃的研究概况,阐述了氧氟微品玻璃作为上转换发光材料的发展和研究中问题,提出了值得进一步研究的工作并对掺稀土离子氧氯微晶玻璃未来的前景作了展望。 相似文献
10.
铁电180°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波,其电场导致了构成铁电180°畴结构的晶体的电光效应,畴结构的光率体发生了改变,晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。 相似文献