基于故障插入的电路抗老化输入矢量生成研究

随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,晶体管的老化效应严重影响了电路的可靠性,负偏置温度不稳定性(NBTI)是造成晶体管老化的主要因素之一。提出了一种基于固定故障插入的电路抗老化输入矢量生成方法,在电路的合适位置插入固定故障,通过自动测试向量生成(ATPG)工具获取较小的备选抗老化矢量集合,再从中筛选出最优矢量。由该方法生成的输入矢量可以使电路在待机模式下处于最大老化恢复状态,同时具有较小的时间开销。在ISCAS85电路中的仿真结果表明,与随机矢量生成方法相比,在电路待机模式下加载本文方法生成的输入矢量,可以达到最高17%的电路老化时延改善率。     

齿轮箱故障识别系统的研究与应用

基于LabVIEW软件的同步齿轮箱故障监测平台由采集振动信号的信号采集系统、对采集信号滤波的信号调理系统,以及控制信号采集和程序运行的上位机系统组成。其中,程序采用最为实用和方便的状态机结构,首先对信号进行无量纲时域分析,再与正常值比较,初步判断出可能存在的故障。针对齿轮故障和轴故障中的信号特点进行频域分析;利用LabVIEW强大的信号处理功能分别对信号作功率谱分析、倒谱分析、Hilbert包络分析。分析结果证明,该监测平台能准确识别故障类型。投入使用证明,该系统对齿轮箱的正常运行、故障识别和寿命延长有明显的效果。     

基于决策树SVM的某型无人机发射机故障诊断

为能够准确地对无人机数据链发射机进行故障诊断,通过对某型无人机数据链发射机工作原理和故障模型分析,结合长期的维护、保障经验,提出了一种基于故障优先级的决策树支持向量机故障诊断方法,避免了现有的多类分类支持向量机在多类故障诊断方面存在不足,优化了多类分类支持向量机组合策略。经试验,与几种常用的多类分类支持向量机方法对比,该诊断策略有效得提高了故障诊断正确率,能够准确地定位发射机内部故障功能模块,具有一定的实际意义。     

结合版图结构信息的基本门电路故障概率估计

在门级电路可靠性估计方法中,基本门的故障概率P一般采用经验值或人为设定.本文结合基本门的版图结构信息,综合考虑了设计尺寸及缺陷特性等因素,分析了不同缺陷模型下的粒径分布数据,给出了缺陷模型粒径概率密度分布函数的参数c的计算算法,并推导出了P的计算模型.理论分析与在ISCAS85及74系列电路上的实验结果表明,缺陷的分段线性插值模型能较准确地描述电路可靠性模型的低层真实缺陷.对ISCAS85基准电路采用本文方法所得到的电路可靠度与采用美国军用标准MIL-HDBK-217方法所得到的计算结果进行了比较,验证了本文所建P模型的合理性.     

基于小波支撑矢量机的陀螺仪漂移预测

提出了基于小波支撑矢量机的导弹惯性器件故障预报方法。将子波核函数应用于支撑矢量机,得到小波支撑矢量机（WSVM）方法,用于某陀螺仪漂移时间序列预测中,预测精度优于基于传统核函数的支撑矢量机。通过仿真实验证明了算法的有效性和可行性。     

构造自组网的容错骨干集

为简化网络结构和提高网络性能所使用的骨干网技术若未考虑容错易造成自组网无法面对节点和无线信道失效.本文研究了如何利用容错骨干来提高网络可靠性,设计了一种分布式容错骨干集构造算法LKFB,满足网络内任意两点之间仅通过容错骨干集保持最大限度K连通容错能力.仿真结果表明,LKFB能够通过改变K值来调整网络的容错能力,通过增加较少的骨干节点换得较高的容错性能.最后通过修改权值函数能够保证按照全网能耗均衡的方式选择容错骨干.     

基于小波奇异性的故障诊断

小波变换具有良好的时-频特性,能在不同尺度上分析和处理信号的各种成分,使信号的奇点、突变点放大,提高信号的分辨率、信噪比。因此可以有效地用于电力电子系统故障诊断。在介绍小波变换信号奇异性检测原理的基础上,对电力电子系统奇异性故障信号使用Matlab进行仿真。仿真结果表明,小波变换在故障诊断中有着广泛的应用前景。     

故障树分析法在工控故障诊断中的应用

论述了工业控制系统故障诊断的意义,研究了故障树分析法的基本原理,并结合某挖泥船柴油机供给系统故障实例,应用故障树分析法构筑相应的故障树,然后对故障树模型进行定性和定量的分析。在成功排除故障的基础上,总结了应用故障树分析法分析排除故障的特点。     

基于高阶累积量和改进BP神经网络的模拟电路故障诊断

提出了基于信号处理领域的高阶累积量诊断模拟电路故障的方法。从待测电路的输出终端提取原始信号,求出其峰度和斜度作为故障特征向量,然后输入给改进的BP神经网络进行故障诊断。对于故障特征向量的构造,相对于一般的以二阶统计量为基础的主元分析方法(PCA),高阶累积量的引入更多的考虑了被PCA所忽略的信息。诊断实例表明该方法生成的故障特征向量,具有高的识别率,诊断精度大大提高。     

10Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管

基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCMAPD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响.模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3 dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响.结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试.测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合.器件击穿电压为30 V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8 A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10 nA,-3 dB带宽大于10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求.